| 講演名 | 2007/2/22 頑張る低耐圧シリコンパワーデバイス(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて) 松本 聡, |
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| 抄録(和) | 低耐圧シリコンパワーデバイスは微細加工技術、デバイス構造の工夫等で、従来のデバイス技術をもとに考えられていたSiリミットを打ち破るデバイスが出現し、性能は年々改善されている。本報告では、低耐圧のシリコンパワーデバイスの開発動向を紹介する.また、RFフロントエンド用のパワーデバイスの研究開発動向をもとに、将来の電源用パワーデバイスの研究開発動向についても述べる。 |
| 抄録(英) | Recently, Si low-voltage power devices breaking the theoretical limit of on-resistance which is considered by conventional device structure have been appearing and their performance have been improved every year by fine fabrication process and introducing the novel device structures. In this paper, the trends of the Si low voltage power devices are described. In addition, the future trends of them are also described based on trend of the power decives for RF front-applications. |
| キーワード(和) | スイッチング素子 / RFパワーアンプ / Si / SiGe / SOI / パワーMOSFET / HBT / DMOSFET / トレンチMOSFET / Super-junction |
| キーワード(英) | switching device / RF-power amplifier / Si / SiGe / SOI / Power-MOSFET / HBT / DMOSFET / trench-MOSFET / Super-junction |
| 資料番号 | ED2006-258 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/2/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 頑張る低耐圧シリコンパワーデバイス(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Continuous Advancing Low-voltage Silicon Power Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スイッチング素子 / switching device |
| キーワード(2)（和/英） | RFパワーアンプ / RF-power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | パワーMOSFET / Power-MOSFET |
| キーワード(7)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(8)（和/英） | DMOSFET / DMOSFET |
| キーワード(9)（和/英） | トレンチMOSFET / trench-MOSFET |
| キーワード(10)（和/英） | Super-junction / Super-junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi MATSUMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT環境エネルギー研究所 NTT Energy and Environment Systems Laboratories |
| 発表年月日 | 2007/2/22 |
| 資料番号 | ED2006-258 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 544 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |