| 講演名 | 2007-04-13 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI) 大場 竜二, 三谷 祐一郎, 藤田 忍, |
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| 抄録(和) | ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言います。このような二重接合構造をSONOS型メモリのトンネル膜に応用することで、ゲート長25nmのメモリ素子が良好な特性を示すことを示します。また、25nm領域において、二重接合トンネル膜が、通常の酸化膜よりも、高速書込消去と長時間記憶保持の両立において非常に有利であることを実証します。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ICD2007-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 25nm SONOS-type Memory Device using Double Tunnel Junction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大場 竜二 / Ryuji Ohba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所 Advanced LSI Technology Laboratory, R & D Center, Toshiba Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三谷 祐一郎 / Yuuichiro Mitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所 Advanced LSI Technology Laboratory, R & D Center, Toshiba Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / Shinobu Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所 Advanced LSI Technology Laboratory, R & D Center, Toshiba Co. |
| 発表年月日 | 2007-04-13 |
| 資料番号 | ICD2007-16 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |