| 講演名 | 2007-04-13 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI) 砂村 潤, 五十嵐 多恵子, 森岡 あゆ香, 小辻 節, 忍田 真希子, 五十嵐 信行, 藤枝 信次, 渡辺 啓仁, |
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| 抄録(和) | 微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案する。本手法では、エネルギー的に深く密度が制御されたトラップの形成が期待できる。シリコン酸化膜中へのTi添加により電子捕獲効率が高くエネルギー的に深いトラップが形成可能であることを見出した。添加するTiの量を減少させることにより、電荷貯蔵ノードはTiO_2で構成されるフローティングゲート(15〓の場合)からナノクリスタル(3〓の場合)そして原子トラップ(0.4〓の場合)へと変遷することがわかった。離散的な原子トラップを形成することにより、電荷の面内際分配を抑制し150℃での高温保持特性を向上することに成功した。 |
| 抄録(英) | For retention improvement in scaled SONOS-type non-volatile memory, deep traps with controllable density were formed by adding metal impurities into gate oxide. We find that Ti additives create deep traps in silicon dioxide, with high electron capture efficiency. Charge storage node changed from TiO_2 floating-gate (15〓) to nano-crystals (3〓), and further to atomic-sized traps (0.4〓) by decreasing Ti amount. Discrete atomic-sized traps successfully suppressed lateral charge redistribution, improving retention at 150℃. |
| キーワード(和) | SONOS / トラップ / 金属不純物 / 原子トラップ / 電荷の面内再分配 / 高温保持 |
| キーワード(英) | SONOS / traps / metal impurities / atomic-sized traps / lateral charge redistribution / high temperature retention |
| 資料番号 | ICD2007-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of lateral charge redistribution using advanced impurity trap memory for improving high temperature retention |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SONOS / SONOS |
| キーワード(2)（和/英） | トラップ / traps |
| キーワード(3)（和/英） | 金属不純物 / metal impurities |
| キーワード(4)（和/英） | 原子トラップ / atomic-sized traps |
| キーワード(5)（和/英） | 電荷の面内再分配 / lateral charge redistribution |
| キーワード(6)（和/英） | 高温保持 / high temperature retention |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 多恵子 / Taeko Ikarashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森岡 あゆ香 / Ayumi Morioka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小辻 節 / Setsu Kotsuji |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 忍田 真希子 / Makiko Oshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 信行 / Nobuyuki Ikarashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 藤枝 信次 / Shinji Fujieda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 渡辺 啓仁 / Hirohito Watanabe |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2007-04-13 |
| 資料番号 | ICD2007-15 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |