| 講演名 | 2007-04-13 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI) 細井 康成, 玉井 幸夫, 大西 哲也, 石原 数也, 渋谷 隆広, 井上 雄史, 山崎 信夫, 中野 貴司, 大西 茂夫, 粟屋 信義, 井上 公, 島 久, 秋永 広幸, 高木 英典, 赤穂 博司, 十倉 好紀, |
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| 抄録(和) | プログラム,消去ともに数十ナノ秒以下の同一極性電圧パルスで動作可能なRRAMデバイスをTiONを用いて実現した.このデバイスを1D1Rクロスポイントメモリセル構造に用いた場合,最小メモリセルサイズで高速書き換え可能な不揮発性メモリを実現することができる.本研究では,外部負荷抵抗を切り換えて電圧パルスを印加する事によりRRAM素子抵抗の高抵抗化,低抵抗化を制御できる新しい手法を見出した.さらに,従来のユニポーラスイッチング方法では高速化できない根拠を示し,今回新たに直列負荷抵抗制御による高速ユニポーラスイッチング動作を実証した. |
| 抄録(英) | We have successfully achieved high speed (～50 ns) unipolar operation in RRAM devices comprised of titanium oxynitride (TiON) combined with a control resistor connected in series. For unipolar switching, programming and erasing pulses can be the same width, typically, a few tens of nano-seconds. This enables high speed and high density cross-point RRAM memory arrays. In addition, we make clear why conventional unipolar switching mode cannot achieve high speed. Moreover, we demonstrate how switching characteristics can be controlled by a series-connected load resistor. |
| キーワード(和) | RRAM / ユニポーラ / 高速 / 負荷抵抗 / 直列抵抗 / 1D1R / クロスポイント / TiON |
| キーワード(英) | RRAM / Unipolar / High Speed / Load resistor / Series resistor / 1D1R / Cross point / TiON |
| 資料番号 | ICD2007-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Speed Unipolar Switching Resistance RAM (RRAN) Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RRAM / RRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ユニポーラ / Unipolar |
| キーワード(3)（和/英） | 高速 / High Speed |
| キーワード(4)（和/英） | 負荷抵抗 / Load resistor |
| キーワード(5)（和/英） | 直列抵抗 / Series resistor |
| キーワード(6)（和/英） | 1D1R / 1D1R |
| キーワード(7)（和/英） | クロスポイント / Cross point |
| キーワード(8)（和/英） | TiON / TiON |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細井 康成 / Y. Hosoi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 玉井 幸夫 / Y. Tamai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大西 哲也 / T. Ohnishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石原 数也 / K. Ishihara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渋谷 隆広 / T. Shibuya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 雄史 / Y. Inoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山崎 信夫 / S. Yamazaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中野 貴司 / T. Nakano |
| 第 8 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大西 茂夫 / S. Ohnishi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 粟屋 信義 / N Awaya |
| 第 10 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社技術本部 Corporate Research and Development Group, Sharp Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 井上 公 / I.H. Inoue |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子研究センター Correlated Electron Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 島 久 / H. Shima |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門 Nanotechnology Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 秋永 広幸 / H. Akinaga |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門 Nanotechnology Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 高木 英典 / H. Takagi |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子研究センター Correlated Electron Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 赤穂 博司 / H. Akoh |
| 第 15 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子研究センター Correlated Electron Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 十倉 好紀 / Y. Tokura |
| 第 16 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子研究センター Correlated Electron Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-04-13 |
| 資料番号 | ICD2007-14 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |