| 講演名 | 2007-04-13 SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ : Twin transistor RAM(TT-RAM)(新メモリ技術とシステムLSI) 有本 和民, 森下 玄, 林 勇, 堂坂 勝己, |
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| 抄録(和) | 本稿はSOIプラットフォームに適したメモリIPとして標準SOI-CMOSプロセス上に構築可能で、デジタルコンシューマ・モバイル・キャッシュメモリ・グラフィックス等の各種アプリケーションに要求される高速・低消費電力動作をスケーラブルに実現できるTwin transistor RAM(TT-RAM)を開発した。TT-RAMセルを用いた4Mビット試作メモリチップでは、90nmのSOI-CMOSプロセスを用いて、連続データ出力モードにおいて453MHzの高速動作を、さらにはランダムアクセス動作では108mW(@263MHz)の低消費動作(混載DRAM比51%減)を実現できた。さらには10.2mW(@56MHz)の超低消費動作モードも搭載し、これらのモードを単一コアで切り替え可能であることを確認した。 |
| 抄録(英) | A high speed/low power dissipation high density Twin transistor RAM(TT-RAM) has been developed as SOI CMOS platform memory IP's. TT-RAM can also support the scalable functions for many kinds of applications. We developed the 90nm SOI CMOS TT-RAM test device, and confirmed the 453MHz burst operation, 108mW low power operation, and 10.2mW at ultra low power operation mode with multi mode configurable single macro. |
| キーワード(和) | SoCプラットフォーム / 高密度メモリ / ボディーフローティングセル / SOIメモリ |
| キーワード(英) | SoC Platform / High density memory / Body floating cell / SOI memory |
| 資料番号 | ICD2007-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ : Twin transistor RAM(TT-RAM)(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High density memory IP for SOI platform : Twin transistor RAM(TT-RAM) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SoCプラットフォーム / SoC Platform |
| キーワード(2)（和/英） | 高密度メモリ / High density memory |
| キーワード(3)（和/英） | ボディーフローティングセル / Body floating cell |
| キーワード(4)（和/英） | SOIメモリ / SOI memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 有本 和民 / Kazutami ARIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部 Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森下 玄 / Fukashi Morishita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部 Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林 勇 / Isamu Hayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部 Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 堂坂 勝己 / Katsumi Dosaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部 Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2007-04-13 |
| 資料番号 | ICD2007-13 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |