| 講演名 | 2007-04-13 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI) 中島 博臣, 楠 直樹, 篠 智彰, 東 知輝, 大澤 隆, 藤田 勝之, 幾見 宣之, 松岡 史宜, 福田 良, 渡辺 陽二, 南 良博, 坂本 篤史, 西村 潤, 浜本 毅司, 仁田山 晃寛, |
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| 抄録(和) | SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mbパターンチップイールド68%を達成した.さらに、デバイスシミュレーションにより、このFBC(Floating Body Cell)技術は、閾値電位差とリテンション時間を維持したまま32nm nodeまでスケーリング可能であることを実証した. |
| 抄録(英) | Technologies and improved performance of the Floating Body RAM are demonstrated. Reducing SOI thickness to 43nm, a 16Mb chip yield of 68% has been obtained. Device simulation proves that the Floating Body Cell is scalable to the 32nm node keeping signal margin (threshold voltage difference) and data retention time constant. |
| キーワード(和) | FBC / SOI / DRAM / メモリ / スケーリング / スケーラビリティー / シミュレーション / CMOS |
| キーワード(英) | FBC / SOI / DRAM / Memory / Scaling / Scalability / Simulation / CMOS |
| 資料番号 | ICD2007-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node and Beyond |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FBC / FBC |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | メモリ / Memory |
| キーワード(5)（和/英） | スケーリング / Scaling |
| キーワード(6)（和/英） | スケーラビリティー / Scalability |
| キーワード(7)（和/英） | シミュレーション / Simulation |
| キーワード(8)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 博臣 / Hiroomi NAKAJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 楠 直樹 / Naoki KUSUNOKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠 智彰 / Tomoaki SHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 東 知輝 / Tomoki HIGASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Toshiba Microelectronics Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大澤 隆 / Takashi OHSAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 勝之 / Katsuyuki FUJITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 幾見 宣之 / Nobuyuki IKUMI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松岡 史宜 / Fumiyoshi MATSUOKA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 福田 良 / Ryo FUKUDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 渡辺 陽二 / Yoji WATANABE |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 南 良博 / Yoshihiro MINAMI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 坂本 篤史 / Atsushi SAKAMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東芝情報システム(株) Toshiba Information Systems(Japan) Corp. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 西村 潤 / Jun NISHIMURA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 浜本 毅司 / Takeshi HAMAMOTO |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 仁田山 晃寛 / Akihiro NITAYAMA |
| 第 15 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2007-04-13 |
| 資料番号 | ICD2007-10 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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