講演名 2007-04-12
バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)
杉崎 太郎, 中村 元昭, 柳田 将志, 本田 元就, 篠原 光子, 生田 哲也, 大地 朋和, 釘宮 克尚, 山本 亮, 神田 さおり, 山村 育弘, 屋上 公二郎, 小田 達治,
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抄録(和) 65nm世代以降、最も一般的に用いら手いる6T-SRAMは多くの問題に直面している。そこで、我々は6T-SRAMに代わるSRAMを検討している。今回、バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM(Static Random Access Memory)セルに応用することを試みた。このBulk Thyristor-RAM(BT-RAM)は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。さらに100psの高速書き込み/読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が10^8以上、スタンバイ電流が0.5nA/cell以下と非常に良好な特性を示した。また、アノード領域に選択エピタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも30F^2(Fはデサインルール)と従来型の6T-SRAMの約1/4のサイズになっている。このようにBT-RAMは現在SRAMの直面している問題を解決し、65nm世代以降に有望なデバイスであることがわかった。
抄録(英) We have successfully developed an alternative SRAM cell usign Bulk Thyristor-RAM (BT-RAM) for the first time. BT-RAM, formed on bulk Si wafers, is low cost and has good compatibility with logic process flows. BT-RAM has excellent performance, with a 100-ps read/write at 1.5 V, high I_/I_ current ratio (>10^8), and low stand-by current (<0.5nA/cell). We can expect the ideal cell size to be as low as 30 F^2, one-fourth that of a conventional 6T-SRAM cell, by using Selective Epitaxy technique for Anode regions (SEA). The BT-RAM is therefore a promising candidate as an alternative SRAM for the 65-nm generation and beyond.
キーワード(和) サイリスタ / バルクサイリスタRAM / SRAM / 選択エピタキシャル
キーワード(英) Thyristor / Bulk Thyristor-RAM / SRAM / Selective Epitaxy
資料番号 ICD2007-9
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2007/4/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-speed Operation SRAM cell using Bulk-type Thyristor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) サイリスタ / Thyristor
キーワード(2)(和/英) バルクサイリスタRAM / Bulk Thyristor-RAM
キーワード(3)(和/英) SRAM / SRAM
キーワード(4)(和/英) 選択エピタキシャル / Selective Epitaxy
第 1 著者 氏名(和/英) 杉崎 太郎 / Taro SUGISAKI
第 1 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 元昭 / Motoaki NAKAMURA
第 2 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 柳田 将志 / Masashi YANAGITA
第 3 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 本田 元就 / Motonari HONDA
第 4 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 篠原 光子 / Mitsuko SHINOHARA
第 5 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 生田 哲也 / Tetsuya IKUTA
第 6 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 大地 朋和 / Tomokazu OHCHI
第 7 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 釘宮 克尚 / Katsuhisa KUGIMIYA
第 8 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 9 著者 氏名(和/英) 山本 亮 / Ryo YAMAMOTO
第 9 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 10 著者 氏名(和/英) 神田 さおり / Saori KANDA
第 10 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 11 著者 氏名(和/英) 山村 育弘 / Ikuhiro YAMAMURA
第 11 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 12 著者 氏名(和/英) 屋上 公二郎 / Kojiro YAGAMI
第 12 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
第 13 著者 氏名(和/英) 小田 達治 / Tatsuji ODA
第 13 著者 所属(和/英) ソニー株式会社
Sony Corporation
発表年月日 2007-04-12
資料番号 ICD2007-9
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 1
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日