| 講演名 | 2007-04-12 MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI) 谷川 高穂, 山縣 保司, 白井 浩樹, 杉村 啓世, 和気 智子, 井上 顕, 佐甲 隆, 坂尾 眞人, |
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| 抄録(和) | MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代よりLowパワーかつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換性が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm世代からHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を図る。 |
| 抄録(英) | This paper presents embedded DRAM device technology utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor. Targeted for high random-access performance as well as low-power data-streaming applications, original structure named "Full Metal DRAM" has been devised and implemented from 150nm generation. This features reduced parasitic resistance of DRAM cell and fully-compatible CMOS Trs. characteristics with that of leading-edge CMOS. In 90nm generation, ZrO2 is introduced as capacitor dielectric material for cell size reduction. For the next generation of 55nm, high-k gate dielectric(HfSiON) will be introduced in CMOS platform, which can be effectively exploited for embedded DRAM scaling and performance improvement. |
| キーワード(和) | 混載DRAM / MIM容量 / High-k / ZrO2 / HfSiON |
| キーワード(英) | embedded DRAM / MIM Capacitor / High-k / ZrO2 / HfSiON |
| 資料番号 | ICD2007-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Technology for embedded DRAM utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) Capacitor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載DRAM / embedded DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MIM容量 / MIM Capacitor |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | ZrO2 / ZrO2 |
| キーワード(5)（和/英） | HfSiON / HfSiON |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷川 高穂 / T. Tanigawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山縣 保司 / Y. Yamagata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白井 浩樹 / H. Shirai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉村 啓世 / H. Sugimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 和気 智子 / T. Wake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 顕 / K. Inoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 佐甲 隆 / T. Sakoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 坂尾 眞人 / M. Sakao |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2007-04-12 |
| 資料番号 | ICD2007-4 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |