| 講演名 | 2007-04-12 セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM(新メモリ技術とシステムLSI) 村井 泰光, 谷崎 弘晃, 辻 高晴, 大谷 順, 山口 雄一郎, 古田 陽雄, 上野 修一, 大石 司, 林越 正紀, 日高 秀人, |
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| 抄録(和) | 1T-4MTJ(1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction)という高密度なMRAM(磁気ランダムアクセスメモリ)を提案した。高密度セルを高速に読み出すために、新たに電圧オフセット付加型セルフリファレンスセンスアンプを採用した。シミュレーションによりtAC=56nsecおよび50MHz@4cycleの高速メモリオペレーションが可能であることを確認した。この新しい1T-4MTJセルを使用した1Mb MARM TEGを130nm CMOSプロセスを用いて試作し良好な動作を確認することができた。 |
| 抄録(英) | A high-density memory cell named 1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction (1T-4MTJ) has been proposed for Magnetic Random Access Memory (MRAM). The new 1T-4MTJ cell has been successfully demonstrated by a 1Mb MRAM test device, using a 130nm CMOS process. The sesing scheme fo a Self-Reference Sense amplifier with Voltage offset (SRSV) enables high-speed memory operation (access time) of tAC=56nsec and 50MHz@4Cycle |
| キーワード(和) | MRAM / MTJ / セルフリファレンス / 高密度 |
| キーワード(英) | MRAM / MTJ / Self Reference / High density |
| 資料番号 | ICD2007-3 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A high-density 1T-4MTJ MRAM with Self-Reference Sensing Scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | セルフリファレンス / Self Reference |
| キーワード(4)（和/英） | 高密度 / High density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村井 泰光 / Yasumitsu Murai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン Renesas Design Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷崎 弘晃 / Hiroaki Tanizaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン Renesas Design Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辻 高晴 / Takaharu Tsuji |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大谷 順 / Jun Otani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 雄一郎 / Yuichiro Yamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古田 陽雄 / Haruo Furuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上野 修一 / Shuichi Ueno |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大石 司 / Tsukasa Oishi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 林越 正紀 / Masanori Hayashikoshi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2007-04-12 |
| 資料番号 | ICD2007-3 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |