| 講演名 | 2007-04-12 STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI) 上田 善寛, 岩田 佳久, 稲葉 恒夫, 清水 有威, 板垣 清太郎, 土田 賢三, |
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| 抄録(和) | 本稿ではスピン注入書込み方式による磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に適したセル電流駆動方式センスアンプを提案する。さらに、セル電流駆動方式センスアンプと、電流電圧変換のための負荷PMOSトランジスタを使用した従来方式センスアンプとの比較検討を行った。STT-MRAMでは、読出しディスターブを回避するため、低読出し電圧での読出し動作を行う必要がある。セル電流駆動方式センスアンプは、低読出し電圧における、高速動作が可能であることを、センスアンプを構成するトランジスタの閾値電圧バラツキと、磁気抵抗素子の抵抗バラツキとを考慮したモンテカルロ・シミュレーションにより示す。 |
| 抄録(英) | A cell-current-controlled sense amplifier for the magnetoresistive random access memory with spin torque transfer switching (STT-MRAM) is proposed. The proposed sense amplifier is compared to a conventional sense amplifier with current-voltage-converting load PMOS transistor. In STT-MRAM read bias voltage must be enough low for avoiding read disturbance. It is shown that low read bias voltage and high speed operation of the cell-current-controlled sense amplifier is possible, by Monte Carlo simulation considering threshold voltage variation of sense amplifier transistors and resistance variation of magnetoresistive elements. |
| キーワード(和) | MRAM / センスアンプ / 低読出し電圧 / モンテカルロ・シミュレーション |
| キーワード(英) | MRAM / Sense amplifier / Low read bias voltage / Monte-Carlo simulation |
| 資料番号 | ICD2007-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of Low Read Bias Voltage and High Speed Sense Amplifier fo STT-MRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | センスアンプ / Sense amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 低読出し電圧 / Low read bias voltage |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロ・シミュレーション / Monte-Carlo simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 善寛 / Yoshihiro UEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩田 佳久 / Yoshihisa Iwata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 稲葉 恒夫 / Tsuneo Inaba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 有威 / Yuui Shimizu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 板垣 清太郎 / Kiyotaro Itagaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 土田 賢三 / Kenji Tsuchida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝半導体研究開発センター Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2007-04-12 |
| 資料番号 | ICD2007-2 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 1 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |