講演名 2007-04-12
混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
崎村 昇, 杉林 直彦, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 志村 健一, 笠井 直記,
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抄録(和) 我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、(1)書き込み動作速度を飛躍的に向上できる2T1MTJセル、(2)読出し速度を500MHz異常に向上できる5T2MTJセル、(3)書き込み電流を1mA以下に削減できる書き込み線挿入型MTJである。このセル技術によって、200MHz以上で動作するシステムLSIのSRAMマクロを付加価値の高い不揮発性のMRAMマクロへ置き換えることが実現できる。
抄録(英) We has succeeded in developing new MRAM cell technology suitable for high-speed memory macro embedded in next generation system LSIs. The new cell technology includes three key elements; a 2T1MTJ cell structure to accelerate write mode cycle time, a 5T2MTJ cell structure to accelerate read mode cycle time and a write-line-inserted MTJ to reduce writing current. It realized added-value, non-volatile MRAM macros that can be substituted for SRAM macros embedded in system LSIs operating at over 200MHz.
キーワード(和) MRAM / 混載メモリ / システムLSI / 高速
キーワード(英) MRAM / Embedded Memories / System LSIs / High-speed
資料番号 ICD2007-1
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2007/4/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-speed MRAM Cell Technology for system LSIs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MRAM / MRAM
キーワード(2)(和/英) 混載メモリ / Embedded Memories
キーワード(3)(和/英) システムLSI / System LSIs
キーワード(4)(和/英) 高速 / High-speed
第 1 著者 氏名(和/英) 崎村 昇 / Noboru SAKIMURA
第 1 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 杉林 直彦 / Tadahiko SUGIBAYASHI
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 根橋 竜介 / Ryusuke NEBASHI
第 3 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 本庄 弘明 / Hiroaki HONJO
第 4 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 志村 健一 / Kenichi SHIMURA
第 5 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 笠井 直記 / Naoki KASAI
第 6 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社
NEC Corporation
発表年月日 2007-04-12
資料番号 ICD2007-1
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 1
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日