講演名 | 2007-04-12 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI) 崎村 昇, 杉林 直彦, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 志村 健一, 笠井 直記, |
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抄録(和) | 我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、(1)書き込み動作速度を飛躍的に向上できる2T1MTJセル、(2)読出し速度を500MHz異常に向上できる5T2MTJセル、(3)書き込み電流を1mA以下に削減できる書き込み線挿入型MTJである。このセル技術によって、200MHz以上で動作するシステムLSIのSRAMマクロを付加価値の高い不揮発性のMRAMマクロへ置き換えることが実現できる。 |
抄録(英) | We has succeeded in developing new MRAM cell technology suitable for high-speed memory macro embedded in next generation system LSIs. The new cell technology includes three key elements; a 2T1MTJ cell structure to accelerate write mode cycle time, a 5T2MTJ cell structure to accelerate read mode cycle time and a write-line-inserted MTJ to reduce writing current. It realized added-value, non-volatile MRAM macros that can be substituted for SRAM macros embedded in system LSIs operating at over 200MHz. |
キーワード(和) | MRAM / 混載メモリ / システムLSI / 高速 |
キーワード(英) | MRAM / Embedded Memories / System LSIs / High-speed |
資料番号 | ICD2007-1 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2007/4/5(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-speed MRAM Cell Technology for system LSIs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MRAM / MRAM |
キーワード(2)(和/英) | 混載メモリ / Embedded Memories |
キーワード(3)(和/英) | システムLSI / System LSIs |
キーワード(4)(和/英) | 高速 / High-speed |
第 1 著者 氏名(和/英) | 崎村 昇 / Noboru SAKIMURA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 杉林 直彦 / Tadahiko SUGIBAYASHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 根橋 竜介 / Ryusuke NEBASHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 本庄 弘明 / Hiroaki HONJO |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 志村 健一 / Kenichi SHIMURA |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 笠井 直記 / Naoki KASAI |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社 NEC Corporation |
発表年月日 | 2007-04-12 |
資料番号 | ICD2007-1 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 1 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |