| 講演名 | 2007-04-20 ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) 大場 朋央, 小川 賢, 木村 康男, 庭野 道夫, |
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| 抄録(和) | 有機電界効果トランジスタ(OFET)について広く研究されているが、詳細な動作機構について明確に解明できていない。そこで、本研究ではルブレンの単結晶を用いたOFETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響を調べた。その結果、銀(Ag)ペーストを用いた場合には、飽和ドレイン電流は、ゲート電圧の2乗に比例したが、金(Au)やAgを蒸着した電極では、ゲート電圧の3乗以上に比例した。これらは、AuやAg電極を用いた場合には、ドレイン電流が電極からめ電荷注入量で制限されていることを示している。また、Au/Ag(20nm)電極を用いたOFETのトランスファ特性は、Agペーストを用いたものに近づいた。つまり、電極としてAg微粒子を用いることは電界増強等により電荷注入障壁を低下させる効果があると考えられる。 |
| 抄録(英) | The detailed operation mechanism of organic field effect transistors (OFETs) has not been clarified yet though they have been widely studied. We have investigated influence of source and drain electrodes on rubrene single crystal OFETs. In the case of using a silver (Ag) paste, the saturated drain current is proportional to the gate voltage squared and in the case of evaporated either gold (Au) or Ag, that is proportional to the gate voltage cubed. The drain current was mainly controlled by carrier injection from the electrode when Au or Ag was used. The transfer characteristic of OFET using a Au/Ag (20nm) electrode was close to that of OFET using a Ag paste. This indicates that Ag particles decrease the potential barrier height of carrier injection by enhancement of electric field. |
| キーワード(和) | ルブレン / 有機電界効果トランジスタ / 単結晶 / 電荷注入 |
| キーワード(英) | rubrene / organic field effect transistor / single crystal / carrier injection |
| 資料番号 | ED2007-7,SDM2007-7,OME2007-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/4/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Source-Drain electrodes on rubrene single-crystal FET characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ルブレン / rubrene |
| キーワード(2)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / organic field effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 単結晶 / single crystal |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷注入 / carrier injection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大場 朋央 / Tomohisa OBA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設 Tohoku university Research Institute of Electrical Communication(RIEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小川 賢 / Satoshi OGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設 Tohoku university Research Institute of Electrical Communication(RIEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 康男 / Yasuo KIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 戦略的基礎研究推進事業 Core Research for Evolutional Science and Technology(CREST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 庭野 道夫 / Michio NIWANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 戦略的基礎研究推進事業 Core Research for Evolutional Science and Technology(CREST) |
| 発表年月日 | 2007-04-20 |
| 資料番号 | ED2007-7,SDM2007-7,OME2007-7 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 14 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |