| 講演名 | 2007-04-20 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) 石田 雄二, 中川 豪, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | ニードル先端から液滴を吐出する方式の静電型インクジェットの液滴吐出挙動を調査した.ニードル先端の曲率半径を小さくすると液滴は微細化し,先端径2μmのニードルを有する静電型インクジェットノズルに,電圧3kv,幅5msの方形波電圧を1パルス印加した時に,平均直径0.86μmサイズのドットを描画できた.また、大きなサイズのドットを描画する場合には,先端径を大きくするよりも,先端径の小さい針を用いてパルス(液滴数)を増やす方がバラツキが小さくできることも分かった.このインクジェット描画装置によって,Niコロイド溶液をアモルファスSi(a-Si)薄膜表面上に描画して,金属誘起因相結晶化(Metal lnduced Crystallization:MIC)を試みた.結晶構造を後方散乱電子回折像により解析した結果,描画ドット径の大きさによって,a-Siは,単一結晶粒,多結晶粒,または金属誘起横方向結晶(Metal lnduced Lateral Crystallization:MILC)化モードで成長した多結晶に,結晶成長することを把握できた.また,描画ドットを小さくすることにより,単一結晶粒の形成の確率が増加することも分かった.これらより,ドット径を0.86μmに制御描画すると,0.62の確率でSiの単一結晶粒を形成できることを統計的に説明した. |
| 抄録(英) | Droplet ejection from an electrostatic inkjet nozzle having a needle has been investigated. It is found that reducing the apex radius of the needle is effective in drawing fine dot pattern. The nozzle having a needle of 2μm in apex radius could pattern the dots of 0.86μm size on the average, when a single pulse of rectangular voltage of 3 kV for 5 ms was applied. We demonstrated for the first time crystallization of amorphous silicon (a-Si) film induced by inkjet-patterned Ni colloidal solution. Dependence of crystallization behavior of a-Si on dot size was investigated by electron back scattering pattern (EBSP) analysis. Metal induced crystallization behavior is categorized into three modes: single-crystal grain growth, poly-crystal growth and lateral-crystal growth. Statistical analysis suggests that, when the dot size is 0.86μm, a single-crystal grain is grown at the inkjet-printed sites with probability 0.62. |
| キーワード(和) | インクジェット描画 / 静電型インクジェットノズル / Niナノ粒子 / Niコロイド溶液 / 陽極化成 / 薄膜トランジスター / 多結晶Si / 金属誘起固相結晶化 / アモルファスSi / 単一結晶粒 |
| キーワード(英) | inkjet patterning / electrostatic inkjet nozzle / Ni nano-particle / Ni colloidal solution / anodization / thin-film transistor / polycrystalline silicon / metal induced crystallization / amorphous silicon / single-crystal grain |
| 資料番号 | ED2007-2,SDM2007-2,OME2007-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/4/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Very Fine Droplet Ejection from Electro-Static InkJet Nozzle and Its Application to Metal Induced Crystallization of Silicon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インクジェット描画 / inkjet patterning |
| キーワード(2)（和/英） | 静電型インクジェットノズル / electrostatic inkjet nozzle |
| キーワード(3)（和/英） | Niナノ粒子 / Ni nano-particle |
| キーワード(4)（和/英） | Niコロイド溶液 / Ni colloidal solution |
| キーワード(5)（和/英） | 陽極化成 / anodization |
| キーワード(6)（和/英） | 薄膜トランジスター / thin-film transistor |
| キーワード(7)（和/英） | 多結晶Si / polycrystalline silicon |
| キーワード(8)（和/英） | 金属誘起固相結晶化 / metal induced crystallization |
| キーワード(9)（和/英） | アモルファスSi / amorphous silicon |
| キーワード(10)（和/英） | 単一結晶粒 / single-crystal grain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 雄二 / Yuji ISHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou NAKAGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2007-04-20 |
| 資料番号 | ED2007-2,SDM2007-2,OME2007-2 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 14 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |