| 講演名 | 2007-04-20 SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) 田中 政典, 大賀 達夫, 佐道 泰造, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | SiGe/SOI構造の酸化過程を広い温度域で検討した。その結果、低温(<680℃)、中温(700～800℃)、高温(>800℃)領域で酸化特性が異なることを見出した。低温(<680℃)領域ではSiO_2膜の形成厚が薄いため、酸化反応は界面反応律速型である。 SiO_2/SiGe界面でのGe偏析量は小さく、界面のGe濃度はSiGe層の初期Ge濃度とほぼ同じであった。そのため、初期Ge濃度に依存した増速酸化が見られた。一方、高温(>800℃)領域では、SiO_2膜厚が厚いため、酸化反応はSiO_2中のOの拡散で律速されることがわかった。従って、酸化速度はGe濃度に依存しなかった。中温(700～800℃)領域では、初期Ge濃度が高濃度(>20%)の試料で、酸化速度が温度に依存しないことがわかった。この現象は、温度上昇による酸化促進と界面Ge濃度の高濃度化(>50%)による酸化抑制の結抗によると考えられる。 |
| 抄録(英) | Oxidation of SiGe/SOI structures was investigated at wide-ranging temperature. Different oxidation characteristics were observed at low (<680℃), middle (700-800℃), and high (>800℃) temperatures. At low (<680℃) temperatures, formed SiO2 thickness was thin (<50 nm). Thus, oxidation rate was limited by reaction at SiO_2/SiGe interfaces and piled-up Ge was little i.e., Ge fraction at the interface was almost the same as the initial Ge fraction. Therefore, initial Ge fraction dependent enhanced oxidation was observed. On the other hand, at high (>800℃) temperatures, SiO_2 thickness was thick (>100 nm). Thus, oxidation rate was limited by diffusion of oxygen in SiO_2. Therefore, oxidation rate does not depend on the Ge fraction. At middle temperatures, oxidation rate does not depend on the temperature for the samples with high initial Ge fraction (>20%). This is due to that increase in oxidation rate by increasing temperature was cancelled by the retardation of oxidation by high Ge piled-up fraction (>50 %). |
| キーワード(和) | 歪Si / SiGe / 酸化 |
| キーワード(英) | strained Si / SiGe / oxidation |
| 資料番号 | ED2007-1,SDM2007-1,OME2007-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/4/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ge Dependent Oxidation Process in SiGe/SOI Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪Si / strained Si |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 政典 / Masanori TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大賀 達夫 / Tatsuo OHKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2007-04-20 |
| 資料番号 | ED2007-1,SDM2007-1,OME2007-1 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 14 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |