| 講演名 | 2007-03-02 様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計(電池技術関連,一般) 江沢 徹, 関屋 大雄, 呂 建明, 谷萩 隆嗣, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では,様々なり値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計を行う.シャントキャパシタに含まれるMOSFETの寄生容量の非線形性を考慮したDE級増幅器の従来の解析および設計においては,理想的なフィルタを導入し,また,MOSFETの寄生容量の変数のひとつである不純物濃度を一つの値で仮定している.しかしながら,高出力が要求される場合などには低いQ値で設計することが求められ,また不純物濃度はMOSFETの非線形特性を大きく変える.そのため,これらの変数が回路に与える影響を明らかにすることは極めて重要である.本研究では,様々なQ値においてMOSFETの不純物濃度の値を変動させたときの回路の設計曲線を数値計算により明らかにする. |
| 抄録(英) | This paper presents design of class DE amplifier with nonlinear shunt capacitance with any output Q. It is assumed that output Q is high in the conventional design of class DE amplifier with nonlinear shunt capacitance because the ideal output filter implement. Furthermore, it is assumed that the impurity concentration that one of the variable of MOSFET nonlinear parasitic capacitance is constant. When high power is demanded, it is required to design by a low Q value. Moreover, the impurity concentration greatly change a nonlinear characteristic of MOSFET. Therefore, it is extremely important to clarify what influence these variables exert on the circuit. In this paper, the design curve of the circuit when the impurity concentration of MOSFET are made to change with any output Q is clarified. |
| キーワード(和) | DE級増幅器 / シャントキャパシタ / 非線形性 / 不純物濃度 |
| キーワード(英) | Class DE Amplifier / Shunt Capacitance / Nonlinear / Impurity Concentration |
| 資料番号 | EE2006-69,CPM2006-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/2/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 様々なQ値におけるシャントキャパシタの非線形性を考慮したDE級増幅器の設計(電池技術関連,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of Class DE Amplifier with Nonlinear Shunt Capacitance with Any Output Q) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DE級増幅器 / Class DE Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | シャントキャパシタ / Shunt Capacitance |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形性 / Nonlinear |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物濃度 / Impurity Concentration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江沢 徹 / Tooru EZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 干葉大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関屋 大雄 / Hiroo SEKIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 干葉大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 呂 建明 / Jianming LU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 干葉大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷萩 隆嗣 / Takashi YAHAGI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 干葉大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Chiba University |
| 発表年月日 | 2007-03-02 |
| 資料番号 | EE2006-69,CPM2006-162 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 562 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |