| 講演名 | 2007-03-09 3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの高密度設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(上流設計技術(2),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) 渡辺 重佳, 岡本 恵介, 大谷 真, |
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| 抄録(和) | 3次元型トランジスタの中で最も有望なFinFETを用いたシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した(検討したモチーフは通信用システムLSI、プロセッサ、民生向けASIC, DRAM用バッファ回路)。"平面型+FinFET型"の導入し、側壁チャネル幅を最適化することにより、動作速度、消費電力等の背能を犠牲にする事無くシステムLSIの素子領域のパターン面積を従来の平面型の場合の約30%に縮小できることを示した。素子領域以外のウェル境界、配線領域では素子領域程の縮小効果は期待できず今後更なる詳細な検討が必要になる。今後設計上の幾つかの検討項目を解決することにより、"平面型+FinFET型"方式は将来のシステムLSI実現の有力な候補になる。 |
| 抄録(英) | New design method of system LSI with FinFET has been developed. Ushing planar+FinFET architecture the pttern area of system LSI designed by cell library can be reduced to about 30% compared with the conventional planar case. New design method is a promising candidate for realizing future high performance, high-density system LSI. |
| キーワード(和) | システムLSI / FinFET / チャネル幅 / 側壁チャネル幅 / セルライブラリ / TIS |
| キーワード(英) | system LSI / FinFET / channel width / sidewall channel width / cell library / TIS |
| 資料番号 | VLD2006-149,ICD2006-240 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2007/3/2(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの高密度設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(上流設計技術(2),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design Method of High Density System LSI with Three-Dimensional Transistor(FinFET) : Reduction of Pattern Area |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| キーワード(2)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル幅 / channel width |
| キーワード(4)（和/英） | 側壁チャネル幅 / sidewall channel width |
| キーワード(5)（和/英） | セルライブラリ / cell library |
| キーワード(6)（和/英） | TIS / TIS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 恵介 / Keisuke Okamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大谷 真 / Makoto Oya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2007-03-09 |
| 資料番号 | VLD2006-149,ICD2006-240 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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