講演名 | 2007-03-08 低電力90-nm CMOS SRAMの開発(メモリ/クロック,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) 岩成 武司, 小林 伸彰, 榎本 忠儀, |
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抄録(和) | 動作時消費電力(P_ |
抄録(英) | A low power 90-nm CMOS 2K-bit SRAM was developed. This SRAM implemented a self-controllable voltage level (SVL) circuit-which can supply warious DC voltages on requests. The SVL circuit has 4 active modes and one stand-by mode. The highest operation frequencies(f_ |
キーワード(和) | CMOS / リーク電流 / 消費電力 / DVFS / 電圧レベル変換回路 / SRAM |
キーワード(英) | CMOS / leakage current / power dissipation / Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit / SRAM |
資料番号 | VLD2006-125,ICD2006-216 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2007/3/1(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 低電力90-nm CMOS SRAMの開発(メモリ/クロック,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 90-nm SRAM for Video Signal processors implementing Dynamic Voltage and Frequency Scaling |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CMOS / CMOS |
キーワード(2)(和/英) | リーク電流 / leakage current |
キーワード(3)(和/英) | 消費電力 / power dissipation |
キーワード(4)(和/英) | DVFS / Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit |
キーワード(5)(和/英) | 電圧レベル変換回路 / SRAM |
キーワード(6)(和/英) | SRAM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岩成 武司 / Takeshi Iwanari |
第 1 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院履行学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小林 伸彰 / Nobuaki Kobayashi |
第 2 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院履行学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto |
第 3 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院履行学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
発表年月日 | 2007-03-08 |
資料番号 | VLD2006-125,ICD2006-216 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 548 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |