| 講演名 | 2007-02-02 Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We demonstrate both numerically and experimentally that time-controlled single-electron transfer can be achieved in single-gated systems with random multiple-tunnel-junctions (MTJ). Charge transfer is controlled by a ratchet-like free energy landscape which can be achieved with higher probability in random systems even if only one gate controls the potential in all the Coulomb islands. We confirm this behavior analytically through Monte Carlo simulations based on the orthodox theory of Coulomb blockade. Furthermore, we investigate the operation of Si nanowire field-effect transistors with several phosphorous impurities implanted in the channel. We show that the doping process leads to splitting the channel into a ID multiple-tunnel-junction array with naturally introduced parameter randomness. We report here the first experimental observation of time-controlled single-electron transfer achieved in ID MTJ arrays created by phosphorous dopants and suggest the importance of phosphorous for future Coulomb blockade device applications. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Coulomb blockade / single-electron tunneling / single-electron turnstile / single-electron pump |
| 資料番号 | ED2006-255,SDM2006-243 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/1/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Coulomb blockade |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Daniel MORARU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007-02-02 |
| 資料番号 | ED2006-255,SDM2006-243 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 521 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |