| 講演名 | 2007-02-01 Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術) 開澤 拓弥, 有田 正志, 藤原 聡, 山崎 謙治, 小野 行徳, 猪川 洋, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 多数のナノドットを配列した単電子デバイスを提案した.複数ゲートと電流振動特性という単電子デバイスの特徴を利用して高い機能性を持たせ,ドットサイズのばらつきを克服することを考えた.実際にSiナノドットアレイにインプットゲートとコントロールゲートを取り付けたデバイスを作製し,基本動作を確かめた.コントロールゲート電圧を変更することにより6種類の主要な論理関数を得ることができることを示し,論理関数が選択可能なデバイスであることを確認した. |
| 抄録(英) | We proposed a single-electron device (SED) that has many nanodots. Oscillatory characteristics and multi-gate capabilities of SEDs were used to eliminate size fluctuation and achieve a high functionality. We actually fabricated a Si nanodot array device, which has two input gates and a control gate, and tested its basic operation characteristics experimentally. We confirmed that the device operates as a logic gate with selectable functions when the control gate voltage is changed. We demonstrated that the device exhibits all of six important logic functions. |
| キーワード(和) | 単電子 / ナノドットアレイ / 論理ゲート / クーロンブロッケイド |
| キーワード(英) | single electron / nanodot array / logic gate / Coulomb blockade |
| 資料番号 | ED2006-246,SDM2006-234 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/1/25(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Multi-input single-electron device using Si nanodot array |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / single electron |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドットアレイ / nanodot array |
| キーワード(3)（和/英） | 論理ゲート / logic gate |
| キーワード(4)（和/英） | クーロンブロッケイド / Coulomb blockade |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 開澤 拓弥 / Takuya KAIZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi ARITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 聡 / Akira FUJIWARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山崎 謙治 / Kenji YAMAZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小野 行徳 / Yukinori ONO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 猪川 洋 / Hiroshi INOKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo TAKAHASHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 発表年月日 | 2007-02-01 |
| 資料番号 | ED2006-246,SDM2006-234 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 521 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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