| 講演名 | 2007-02-02 Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We demonstrate the single-charge sensitivity of single-hole-tunneling (SHT) transistors fabricated on Si-on-insulator (SOI) wafer with p/p^+-Si substrate. As a function of time, the current of the SHT transistor is modulated (1) in dark condition by the successive emission of holes from acceptor levels in the p-Si layer and (2) under light illumination by the storage of photo-excited electrons at the p-Si/SiO_2 interface. In dark condition, the SHT current showed step-like features that could be due to the ionization of single-acceptors. At an appropriate photon incident rate, we believe that the detection of photo-excited single-electron in the substrate could also be realized. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Single-hole-tunneling transistor / single-photon detector / single-acceptor ion. |
| 資料番号 | ED2006-256,SDM2006-244 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors : Sensing the presence of a single-charge in the substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Single-hole-tunneling transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Zainal BURHANUDIN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institue of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007-02-02 |
| 資料番号 | ED2006-256,SDM2006-244 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |