| 講演名 | 2007-02-02 InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術) 小山 政俊, 高橋 寛, 井上 達也, 前元 利彦, 佐々 誠彦, 井上 正宗, |
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| 抄録(和) | バリスティック電子輸送を利用したデバイス応用の一つにバリスティック整流デバイスがある.バリステイック電子の伝搬する方向をアンチドット等のエッチング境界面で散乱することにより,デバイス内にポテンシヤルの傾きを生じさせ,整流効果を得るデバイスであり,pn接合を用いたダイオードと動作原理は異なる.本研究では室温で約500nmと比較的長い平均自由行程を有するInAs/AlGaSbヘテロ構造にアンチドットを有する構造や非対称な極微構造を作製し,その電子輸送特性と整流効果の温度依存性について詳しく調べた.その結果,種々の構造において明瞭な整流効果が観測され,電圧端子にwaveguide構造を導入したデバイスにおいては,300Kで整流特性が観測された. |
| 抄録(英) | We fabricated and characterized electron transport properties and rectification effects of ballistic rectifiers with InAs/AlGaSb heterostructures which has relatively long electron mean free path at room temperature. Clear rectification effects are obtained by generating the potential drop which affected by electron scattering processes at etched boundaries such as anti-dot structure. As results, rectification effects were observed in each device at 4.2K and 77K, and additional introduction of waveguide structures enabled to rectification effects at 300K. |
| キーワード(和) | InAs-AlGaSbヘテロ構造 / バリスティック電子輸送 / 非線形電子輸送特性 / 極微構造 / 整流効果 |
| キーワード(英) | InAs-AlGaSb heterostructures / Ballistic electron transport / Nonlinear electron transport properties / Mesoscopic structures / Rectification effects |
| 資料番号 | ED2006-252,SDM2006-240 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ballistic electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb mesoscopic structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs-AlGaSbヘテロ構造 / InAs-AlGaSb heterostructures |
| キーワード(2)（和/英） | バリスティック電子輸送 / Ballistic electron transport |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形電子輸送特性 / Nonlinear electron transport properties |
| キーワード(4)（和/英） | 極微構造 / Mesoscopic structures |
| キーワード(5)（和/英） | 整流効果 / Rectification effects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小山 政俊 / Masatoshi KOYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 寛 / Hiroshi TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 達也 / Tatsuya INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前元 利彦 / Toshihiko MAEMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々 誠彦 / Shigehiko SASA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 正宗 / Masataka INOUE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2007-02-02 |
| 資料番号 | ED2006-252,SDM2006-240 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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