講演名 2007-02-02
シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
小西 敬太, 松田 喬, 陽 完治,
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抄録(和) 二次元構造を持つ新たな材料としてグラファイトの単層膜であるグラフェンが注目されている.我々はグラファイトの電気伝導特性を測定したので報告する.測定として、HOPGのゲート依存性、アイソレーションを行っていないキッシュグラファイトのホール測定を行った.結果として、ゲート依存性を確認することができたが変調の割合が小さかった.それは、電界遮蔽によりグラファイトの一部のみ影響をゲートの電界効果を受けるからだと考えられる.また、ホール測定の結果は室温と77Kで移動度とキャリア密度はおのおの2830cm^2/V・s、1.14×10^<14>cm^2 と2430cm^2/V・s、2.48×10^<13>cm^2というものだった.
抄録(英) Graphene has been a new material of interest with two-dimensional structure. We measured the effect of gate electric field on HOPG and the Hall measurement of kish graphite without isolating. Modulation by the gate electric field could be observed, unless change of magnitude was small. The thickness of the HOPG sample is still in the order of magnitude larger than the screening length of graphite, and thus only relatively small portion of the sample is supposed to be affected by the gate electric field. The kish graphite sample exhibit mobilities up to 2830 and 2430 cm^2/Vs at room and 77K respectively.
キーワード(和) グラフェン / 二次元構造 / 電界遮蔽
キーワード(英) graphene / two-dimensional structure / screening
資料番号 ED2006-251,SDM2006-239
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2007/1/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electronic transport properties of nanographite on Silicon dioxide
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) グラフェン / graphene
キーワード(2)(和/英) 二次元構造 / two-dimensional structure
キーワード(3)(和/英) 電界遮蔽 / screening
第 1 著者 氏名(和/英) 小西 敬太 / Keita KONISHI
第 1 著者 所属(和/英) 北大量子集積センター
RCIQE, Hokkaido University
第 2 著者 氏名(和/英) 松田 喬 / Takashi MATUSDA
第 2 著者 所属(和/英) 北大量子集積センター
RCIQE, Hokkaido University
第 3 著者 氏名(和/英) 陽 完治 / Kanji YOH
第 3 著者 所属(和/英) 北大量子集積センター
RCIQE, Hokkaido University
発表年月日 2007-02-02
資料番号 ED2006-251,SDM2006-239
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 520
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日