| 講演名 | 2007-02-01 Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術) 自念 圭輔, 内田 薫, 小平 新志, 渡辺 正裕, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | 弗化物系ヘテロ構造CdF_2/CaF_2はSi基板上にエピタキシャル成長可能であり、伝導帯バンド不連続が非常に大きいため、Si基板上サブバンド間遷移光デバイス実現へ向け非常に有望な材料系である。今回、この材料系を用いたサブバンド間遷移レーザ構造を具体的に考案し、理論解析によりレーザのしきい値電流密度を計算した。低温におけるしきい値電流密度は、活性層の周期数が約10周期以上で5kA/cm^2以下となった。 |
| 抄録(英) | CdF_2/CaF_2 heterostructure is a good candidate for quantum-effect optical devices utilizing conduction band subbands, because the heterostructure can be grown on Si substrate epitaxially and has a large conduction band offset at the heterointerface. In this report, fluoride-based intersubband transition (ISBT) laser is analyzed and threshold current density of the laser is evaluated. |
| キーワード(和) | CdF_2/CaF_2 / Si基板 / サブバンド間遷移レーザ / 近赤外 / LOフォノン |
| キーワード(英) | CdF_2/CaF_2 / Si substrate / Intersubband Transition Laser / Near Infrared / LO phonon |
| 資料番号 | ED2006-244,SDM2006-232 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/25(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Analysis of Fluoride-based Intersubband Transition Laser on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CdF_2/CaF_2 / CdF_2/CaF_2 |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド間遷移レーザ / Intersubband Transition Laser |
| キーワード(4)（和/英） | 近赤外 / Near Infrared |
| キーワード(5)（和/英） | LOフォノン / LO phonon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 自念 圭輔 / Keisuke JINEN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdiciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内田 薫 / Kaoru UCHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdiciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小平 新志 / Shinji KODAIRA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdiciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST SORST-JST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構CREST CREST-JST |
| 発表年月日 | 2007-02-01 |
| 資料番号 | ED2006-244,SDM2006-232 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |