| 講演名 | 2007/2/2 遷移遅延故障に対する高品質テスト生成手法について(セッション3 : テスト生成, VLSI設計とテスト及び一般) 森島 翔平, 山本 真裕, 梶原 誠司, 温 暁青, 福永 昌勉, 畠山 一実, 相京 隆, |
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| 抄録(和) | 遅延テスト品質の評価手法としてSDQMが提案されている.遷移故障において,SDQMによるテスト品質を向上させるためには,各遷移故障に対して,(1)故障が活性化可能な最長パス長を調べること,(2)長いパスを通り故障を検出するテストパターンを生成すること,の2つを正確に行うことが重要である.本論文では,遷移故障の検出において潜在的に活性化可能な最長パス長を計算する手法を提案する.さらに,求めたパス情報を用いて高品質遷移故障ATPGに役立つパスを抽出する手法も提案する.実験では,提案手法がSDQLを正確に計算するだけでなく,テスト生成においてテスト品質を高めることを示す. |
| 抄録(英) | As a method to evaluate delay test quality, SDQM has been proposed. In order to derive better test quality by SDQM, the following two things are important: for each transition fault, (1) to find out the accurate length of the longest sensitizable paths, and (2) to generate a test pattern that detects the fault through as long paths as possible. In this paper, we propose a method to calculate the length of the potentially sensitizable longest path for detection of a transition fault. In addition, we develop a procedure to extract path information that helps high quality transition ATPG. Experimental results show that the proposed method not only derives more accurate SDQL but also enhances the test quality of generated test patterns. |
| キーワード(和) | 遅延テスト / 遷移故障 / SDQM / テスト生成 / 微小遅延欠陥 |
| キーワード(英) | Delay test / Transition fault / SDQM / Test pattern generation / Small delay defect |
| 資料番号 | DC2006-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | DC |
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| 開催期間 | 2007/2/2(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Dependable Computing (DC) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 遷移遅延故障に対する高品質テスト生成手法について(セッション3 : テスト生成, VLSI設計とテスト及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On generation of high-quality test patterns for transition faults |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遅延テスト / Delay test |
| キーワード(2)（和/英） | 遷移故障 / Transition fault |
| キーワード(3)（和/英） | SDQM / SDQM |
| キーワード(4)（和/英） | テスト生成 / Test pattern generation |
| キーワード(5)（和/英） | 微小遅延欠陥 / Small delay defect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森島 翔平 / Shohei MORISHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 真裕 / Masahiro YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梶原 誠司 / Seiji KAJIHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 Kyushu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 温 暁青 / Xiaoqing WEN |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学 Kyushu Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福永 昌勉 / Masayasu FUKUNAGA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社半導体理工学センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畠山 一実 / Kazumi HATAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社半導体理工学センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 相京 隆 / Takashi AIKYO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社半導体理工学センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 発表年月日 | 2007/2/2 |
| 資料番号 | DC2006-84 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 528 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |