講演名 | 2006-12-18 プラスティックフィルム上に作製した有機薄膜トランジスタの信頼性試験(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) 関谷 毅, 比津 和樹, 染谷 隆夫, |
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抄録(和) | 有機トランジスタの安定動作を目的とし、大気安定性、電圧連続印加安定性、熱的安定性、屈曲時の安定性など、有機トランジスタの実用化に向けた各種の信頼性試験を行った。特に、有機トランジスタにおいては大気中での安定動作が、最大の課題となっていた。我々は、金属・有機積層構造膜を有機トランジスタの封止膜として用いることにより、この大気劣化、経時変化を抑制することに成功した。2ヶ月間大気保管したときペンタセントランジスタの特性変化は2%以内であることがわかった。さらに、このペンタセントランジスタを10日間大気中で連続駆動した後の電流変化は5%以内で、閾値の変化もわずか1Vであった。耐熱温度は160度、限界折り曲げ半径は1mmまで大気中で安定して動作することを確認した。この金属有機積層封止膜をN型半導体に施し、同様の大気安定性に関する実験を行った。その結果、金属有機積層封止膜はペンタセントランジスタのみならず、N型有機トランジスタに対しても極めて有効であることがわかった。 |
抄録(英) | We investigated the stability of organic field-effect transistors (FETs) in ambient conditions. By employing novel organic/metal hybrid passivation layers, we have drastically improved the electric stability of organic FETs on plastic films in air. P-type pentacene FETs were fabricated on plastic films and encapsulated in organic/metal hybrid passivation layers. These FETs exhibited high a mobility of 0.6 cm2/Vs and an on/off ratio greater than 106. When the devices were stored in air for two months, the change in mobility was less than 2%, and the threshold voltage changed from -11 V to -10 V. When continuous source-drain and gate voltages of -40 V were applied to the FETs for 10 days in air, the change in saturation current was less than 5%. The organic/metal hybrid passivation layer is also effective for reducing air degradations of n-type organic FETs fabricated using fluoroalkyl naphthalenetetracarboxylic diimide. |
キーワード(和) | 有機トランジスタ / ペンタセン / NTCDI / ポリイミド絶縁膜 / 耐熱性能 |
キーワード(英) | Organic Field-Effect Transistor / Pentacene / Polyimide Gate insulator / Heat-Resistance |
資料番号 | OME2006-120 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 2006/12/11(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | プラスティックフィルム上に作製した有機薄膜トランジスタの信頼性試験(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Reliability tests of organic thin-film transistors on plastic films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 有機トランジスタ / Organic Field-Effect Transistor |
キーワード(2)(和/英) | ペンタセン / Pentacene |
キーワード(3)(和/英) | NTCDI / Polyimide Gate insulator |
キーワード(4)(和/英) | ポリイミド絶縁膜 / Heat-Resistance |
キーワード(5)(和/英) | 耐熱性能 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 関谷 毅 / Tsuyoshi SEKITANI |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 比津 和樹 / Kazuki Hizu |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 染谷 隆夫 / Takao SOMEYA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo |
発表年月日 | 2006-12-18 |
資料番号 | OME2006-120 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 439 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |