| 講演名 | 2006-12-18 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) 北村 雅季, 李 大一, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | 高誘電率ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタについて報告する。ここで示す有機トランジスタは低電圧で動作し,高特性を示す。高誘電率絶縁膜は酸化チタンと酸化シリコンの混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2で,スパッタリングにより成膜した。混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2の比誘電率および膜表面の平坦性はSiO_2,組成xに依存し,平坦性の良い混成膜はx≥0.17で得られた。この混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2をゲート絶縁膜として,pentacene薄膜トランジスタを作製した。そのトランジスタは少なくともドレイン電圧V_D≤-1Vで動作し,V_D≤-2Vでは電界効果移動度が1cm^2/Vs以上であった。主な特性は,閾値電圧-1.6V,サブスレッショルドスイング0.13V/decade,電流オンオフ比1×10^7と,良好な結果が得られた。 |
| 抄録(英) | We report high-performance organic-based thin-film transistors (TFTs) with high dielectric constant gate insulators operating at low voltages. The gate insulators are Ti_<1-x>Si_xO_2 films, which were deposited by RF sputtering. The dielectric constant and surface roughness depends on the concentration of SiO_2 in Ti_<1-x>Si_xO_2 films. The Ti_<1-x>Si_xO_2 films with x ≥ 0.17 have flat surfaces. Pentacene TFTs with Ti_<1-x>Si_xO_2 gate insulators were fabricated and can operate at drain voltages of V_D≤-1 V at least. The field effect mobilities obtained at V_D≤-2 V are more than 1.0 cm^2/Vs. The pentacene TFT exhibits high performance with a threshold voltage of-1.6 V, an inverse subthreshold slope of 0.13 V/decade and a current on/off ratio of 1×10^7. |
| キーワード(和) | ペンタセン / 薄膜トランジスタ / 高誘電率ゲート絶縁膜 / 電界効果移動度 |
| キーワード(英) | pentacene / thin-film transistor / high-k gate insulator / field effect mobility |
| 資料番号 | OME2006-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2006/12/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High field-effect-mobility organic thin-film transistors using high dielectric constant gate insulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 高誘電率ゲート絶縁膜 / high-k gate insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 電界効果移動度 / field effect mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北村 雅季 / Masatoshi KITAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所 Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 李 大一 / Daeil LEE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所 Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所 Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2006-12-18 |
| 資料番号 | OME2006-119 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 439 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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