| 講演名 | 2006-12-18 電圧印加熱処理を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) 永井 啓太, 山内 博, 飯塚 正明, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | 有機電子回路の作製には、素子の特性制御が必要不可欠な技術であると考えられる。本研究では素子に様々な処理を施すことで、制御された異なる素子特性を持つ素子の作製を目的としている。本報告では、P3HT-FETのしきい値電圧について制御した結果について述べる。素子に有機膜を成膜した後、窒素雰囲気中で熱処理と共に電圧印加処理を施すことでしきい値電圧が変化することがわかった。また、印加する電圧によって、しきい値を制御することが出来た。しきい値が変化するに伴い移動度が変化していることから、特性の変化はP3HT/SiO_2,界面のトラップが関与していると考えている。 | ||||
| 抄録(英) | Control of organic devices characteristics is necessary to produce the electronic devices using organic semiconductors. Producing the devices having a number of controlled characteristics by several treatments is the purpose. In this paper, we investigated the controllability of the threshold voltage (V_ | ) of P3HT-FET. Combining the thermal-treatments with voltage-treatments in N_2 atmosphere yielded the shifts of V_ | . Furthermore, the controllability of V_ | was obtained by applying several gate voltages. We consider that the traps in P3HT/SiO_2 interface concern the changing characteristics because of the field effect mobility was varied with shift of V_ | . |
| キーワード(和) | 特性制御 / 電圧印加熱処理 / P3HT-FET | ||||
| キーワード(英) | post-treatment / control of characteristics / P3HT-FET / thermal-treatment / applying voltage-treatment | ||||
| 資料番号 | OME2006-116 | ||||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2006/12/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電圧印加熱処理を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Controllability of P3HT-FET Characteristics by Applying Voltages with Thermal-Treatment after film formation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 特性制御 / post-treatment |
| キーワード(2)（和/英） | 電圧印加熱処理 / control of characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | P3HT-FET / P3HT-FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永井 啓太 / Keita NAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山内 博 / Hiroshi YAMAUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯塚 正明 / Masaaki IIZUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学教育学部 Faculty of Education, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2006-12-18 |
| 資料番号 | OME2006-116 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 439 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |