講演名 2006-12-18
電解質ゲート有機FETによる低電圧・高濃度キャリア蓄積(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
下谷 秀和, 浅沼 春彦, 岩佐 義宏,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 有機活性層に接触させた電解質をゲート電極として用いるトランジスタ構造をポリ(3-ヘキシルチオフェン),単層カーボンナノチューブ,ルプレン単結晶に適用した.
抄録(英) Transistor structure, where electrolyte contacting to organic active layer is used as the gate electrode, was applied for poly (3-hexylthiophene), single-walled carbon nanotubes, and rubrene single crystals.
キーワード(和) 電解質ゲートFET / ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / 単層カーボンナノチューブ / ルブレン / 有機FET
キーワード(英) Electrolyte-gated FET / poly(3-hexylthiophene) / single-walled carbon nanotubes / rubrene / organic FET
資料番号 OME2006-113
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2006/12/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 電解質ゲート有機FETによる低電圧・高濃度キャリア蓄積(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low Voltage and High Density Carrier Accumulation by Electrolyte-Gated Organic FET
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電解質ゲートFET / Electrolyte-gated FET
キーワード(2)(和/英) ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / poly(3-hexylthiophene)
キーワード(3)(和/英) 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes
キーワード(4)(和/英) ルブレン / rubrene
キーワード(5)(和/英) 有機FET / organic FET
第 1 著者 氏名(和/英) 下谷 秀和 / Hidekazu SHIMOTANI
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学金属材料研究所
Institute for Materials Research, Tohoku University:JST-CREST
第 2 著者 氏名(和/英) 浅沼 春彦 / Haruhiko ASANUMA
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学金属材料研究所
Institute for Materials Research, Tohoku University
第 3 著者 氏名(和/英) 岩佐 義宏 / Yoshihiro IWASA
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学金属材料研究所
Institute for Materials Research, Tohoku University:JST-CREST
発表年月日 2006-12-18
資料番号 OME2006-113
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 439
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日