| 講演名 | 2007-01-19 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 金村 雅仁, 多木 俊裕, 今西 健治, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 原 直紀, 吉川 俊英, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | Si_3N_4絶縁ゲートを有するn-GaN/n-AlGaN/i-GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製してその電流コラプスを評価した。絶縁ゲート構造においても絶縁膜堆積条件を検討することで電流コラプスを抑制できることが分かった。電流コラプスを抑制した結果66%のPAEを実現した。また、GaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧50V、周波数2.5GHzで出力147Wが得られた。MIS-HEMTの順方向ゲートストレス試験を行なった結果、ゲート電圧+10Vを24h印加し続けてもゲート特性が劣化しないことが確認された。 |
| 抄録(英) | A state-of-the-art n-GaN/n-AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Si_3N_4 insulating layer were fabricated on a S.I.-SiC substrate. The elimination of current collapse for MIS-HEMT was realized by the optimization of Si_3N_4 synthesis condition. The current collapse free MIS-HEMT shows the high PAE value of 66%. The single chip GaN MIS-HEMT amplifier operated at 50V achieves a high output power of 147W at 2.5GHz. We also shows the high stability of GaN MIS-HEMT under the gate bias stress of 10V for 24 hours. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / 基地局 / 電流コラプス / MIS / Si_3N_4 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaNHEMT / Base Station / Current collapse / MIS / Si_3N_4 |
| 資料番号 | ED2006-236,MW2006-189 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Collapse of Insulated-gate GaN-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaNHEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 基地局 / Base Station |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(5)（和/英） | Si_3N_4 / Si_3N_4 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kohzou MAKIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki KARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通(株):(株)富士通研究所 Fujitsu Limited, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-01-19 |
| 資料番号 | ED2006-236,MW2006-189 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 459 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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