| 講演名 | 2007-01-26 高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来(ディジタル・一般) 木村 紳一郎, |
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| 抄録(和) | 比例縮小則に沿って微細化と高性能化,そして,低消費電力化を実現してきたSi MOSFETの現状を紹介する.MOSFETは微細化に伴ってしきい電圧を下げることで,性能を向上させながら電源電圧を下げてきた.しかし,しきい電圧の低下はリーク電流の増加を招くために,これ以上下げるのは困難な状況になっている.しきい電圧が下がらないという状況下,MOSFETはどのようにして性能向上を実現しようとしているのかを,提案されている幾つかのMOSFET(歪み応用,Fin-FETなど)に触れながら議論を進める. |
| 抄録(英) | Si MOSFET have been miniaturized so far based on the scaling theory, and significantly contributed to the progress of high performance and low power LSIs. Performance improvement was mainly achieved by shrinking the gate length of the MOSFET accompanied by threshold voltage reduction. However, reduction of the threshold voltage also causes power consumption increase due to increase of leakage current. In this article, new technologies such as strained Si MOSFETs and Fin-FETs are introduced, and how these new devices cope with the difficulties arising from the scaling are discussed from the viewpoint of the low power technology. |
| キーワード(和) | Si / LSI / MOSFET / SRAM / 低電力 / 歪み応用 / Fin-FET |
| キーワード(英) | Si / LSI / MOSFET / Low Power / Application of Strain / Fin-FET |
| 資料番号 | SCE2006-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2007/1/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来(ディジタル・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Status quo and future prospects of High-Performance and Low Power Si MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / Low Power |
| キーワード(5)（和/英） | 低電力 / Application of Strain |
| キーワード(6)（和/英） | 歪み応用 / Fin-FET |
| キーワード(7)（和/英） | Fin-FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 紳一郎 / Shin'ichiro KIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所ULSI研究部 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-01-26 |
| 資料番号 | SCE2006-34 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 503 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |