講演名 | 2007-01-29 マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) 高橋 和, 田中 良典, 浅野 卓, 野田 進, |
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抄録(和) | マルチステップ・ヘテロ構造を用いて作製される2次元フォトニック結晶光ナノ共振器は、ナノ共振器をサイズの大きい共振器に組み込んだ入れ子構造となっている。今回我々は大きい共振器に由来する共振モードをその周波数、Q値、偏光特性に着目して調べた。共振モードの周波数は良く知られたファブリペロー条件で決まり、Q値はバンド端のモードでは10^6に近づきバンド端から離れたモードでは10^4まで小さくなった。偏光特性はバンド端から離れたモードでは計算結果と良く一致するが、バンド端付近のQ値の大きなモードでは作製精度で決まる付加損失の為に計算とは異なる結果となった。 |
抄録(英) | We investigated the characteristic of the higher resonant modes for the high-Q multistep heterostructure nanocavity using two dimensional photonic crystal slab. The resonant frequencies are explained using the Fabry Perot condition and the dispersion curve of the waveguide mode. The low frequency modes near the band edge have a high Q factor of about 10^6 and a polarization dependence different from FDTD calculation. On the other hand, the high frequency modes have a Q factor of at most 5x10^4 and the same polarization dependence as the calculation. |
キーワード(和) | フォトニック結晶 / 微小共振器 / 共振モード |
キーワード(英) | Photonic crystal / Nanocavity / Resonant mode |
資料番号 | PN2006-51,OPE2006-133,LQE2006-122 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2007/1/22(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | マルチステップ・ヘテロ構造を用いた光ナノ共振器の共振モード特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Resonant modes in high-Q multistep heterostructure nanocavities |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
キーワード(2)(和/英) | 微小共振器 / Nanocavity |
キーワード(3)(和/英) | 共振モード / Resonant mode |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高橋 和 / Yasushi Takahashi |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 田中 良典 / Yoshinori Tanaka |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浅野 卓 / Takashi Asano |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 野田 進 / Susumu Noda |
第 4 著者 所属(和/英) | 京都大学大学院電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
発表年月日 | 2007-01-29 |
資料番号 | PN2006-51,OPE2006-133,LQE2006-122 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 515 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |