| 講演名 | 2007/1/18 SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) 原川 崇, 新井 裕子, 清野 俊明, 小南 裕子, 原 和彦, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | 近年、Flat Panel Display (FPD)の研究開発が盛んになり、それに伴う技術の発達が目覚しい。特に、電界放射型ディスプレイ(FED)は、その画質の美しさから現在非常に注目されている。その技術の一つ蛍光体は、FEDに起こりえる絶縁破壊、電子線励起劣化の問題を防ぐ意味でも低抵抗、高効率に加えて安定なものが望ましい。そこでわれわれはそれらの問題を克服するために蛍光体の薄膜化を試みた[2]-[7]。薄膜蛍光体には、色度(0.26,0.69)の緑色高輝度発光を示すSrGa_2S_4:Euを用いた[1]-[6]。それを二源電子ビーム蒸着法により蒸着後、850℃でアニールすることで、加速電圧10kV,電流密度60μA/cm^2でCL輝度58,000cd/m^2が得られた。しかしながら、850℃でのアニールは実用的とは考えられないので、低温でのプロセスの確立が必要である。そこで、低温処理方法としてレーザアニール法を用いてSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製を試みた。その結果、アニール温度500℃の薄膜にKrFエキシマレーザを照射することにより4kV,60μA/cm^2励起で約2,000cd/m^2の輝度が得られた。 |
| 抄録(英) | We focused attention on SrGa_2S_4:Eu phosphor that shows the strong green emission and color coordinate (0.26, 0.69). We tried to prepare SrGa_2S_4:Eu thin film phosphors by the deposition of SrS:Eu and Ga_2S_3 on quartz substrate using two EB evaporation. Thin film phosphor will be able to be expected to be lower resistance and higher definition than powder phosphor. The luminance of 58,000cd/m^2 was obtained from the thin film phosphor annealed at 850℃ for 30 minutes in Ar+H_2S(1%) after deposition under excitation with 10kV and 60μA/cm^2. However, the annealing of the thin films at 850℃ is not allowed, because it is thought that the heat resistance of glass substrate is about 500℃. So the low temperature process by using KrF excimer laser (248nm), so-called laser annealing, was applied to improve the luminescence and the crystallinity of the thin film phosphors. CL luminance of 2,000cd/m^2 was obtained from the thin film annealed by thermal annealing at 500℃ and laser annealing under excitation at 4kV, 60μA/cm^2. |
| キーワード(和) | SrGa_2S_4:Eu / 高輝度 / 二源電子ビーム蒸着 / 薄膜蛍光体 / 低抵抗 / 高効率 / 安定 / レーザアニール / 電子線励起発光 / KrFレーザ / 低温プロセス |
| キーワード(英) | SrGa_2S_4:Eu / high intensity / two electron beam evaporation / thin film phosphor / low resistance / high efficiency / stability / laser annealing / CL / KrF laser / low temperature process |
| 資料番号 | EID2006-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2007/1/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Laser annealing treatment and the CL characteristics of SrGa_2S_4:Eu thin film phosphor : The low temperature process and effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrGa_2S_4:Eu / SrGa_2S_4:Eu |
| キーワード(2)（和/英） | 高輝度 / high intensity |
| キーワード(3)（和/英） | 二源電子ビーム蒸着 / two electron beam evaporation |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜蛍光体 / thin film phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | 低抵抗 / low resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(7)（和/英） | 安定 / stability |
| キーワード(8)（和/英） | レーザアニール / laser annealing |
| キーワード(9)（和/英） | 電子線励起発光 / CL |
| キーワード(10)（和/英） | KrFレーザ / KrF laser |
| キーワード(11)（和/英） | 低温プロセス / low temperature process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原川 崇 / Takashi HARAKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新井 裕子 / Yuko ARAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日本製鋼所 JSW |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清野 俊明 / Toshiaki SEINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日本製鋼所 JSW |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko KOMINAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko HARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Shizuoka univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori HATANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 愛知工科大学 Department of Electronics and Information Engineering, Aichi University of Technology |
| 発表年月日 | 2007/1/18 |
| 資料番号 | EID2006-54 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 499 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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