| 講演名 | 2007/1/18 Xe_2分子線励起用SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>緑色蛍光体の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) 山根 明, 國本 崇, 中島 康裕, 大観 光徳, 小林 洋志, |
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| 抄録(和) | Xe_2分子線励起用のPDP用緑色蛍光体としてSrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>を作製し、発光特性の評価を行った。SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>は、焼成温度1200℃でTb添加濃度15mol%のとき発光強度が最大となり、172nm励起での発光ピーク強度はZn_2SiO_4:Mn^<2+>の約125%を示した。また、SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>はプロセス劣化試験における発光強度の低下は見られず、プラズマ照射後では172nm励起においてZn_2SiO_4:Mn^<2+>の約110%を示した。 |
| 抄録(英) | Luminescent properties of SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> have been investigated as a green PDF phosphor for Xe_2 excimer band excitation. The photoluminescence(PL) intensity of SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> under 172nm excitation reaches the maximum at the Tb content of 15 molar% for the sample fired at 1200℃, and the peak intensity is about 125% compared to that of Zn_2SiO_4:Mn^<2+>. The PL intensity of the SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> phosphor is not decreased by baking at 600℃ with ethylcellulose, and the peak intensity is about 110% compared to that of Zn_2SiO_4:Mn^<2+> after plasma irradiation. |
| キーワード(和) | PDP用緑色蛍光体 / SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> / Xe_2分子線励起 |
| キーワード(英) | Green PDP phosphor / SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> / Xe_2 excimer band excitation |
| 資料番号 | EID2006-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2007/1/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Xe_2分子線励起用SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+>緑色蛍光体の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and characterization of SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> green phosphors for Xe_2 excimer band excitation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PDP用緑色蛍光体 / Green PDP phosphor |
| キーワード(2)（和/英） | SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> / SrGd_4Si_3O_<13>:Tb^<3+> |
| キーワード(3)（和/英） | Xe_2分子線励起 / Xe_2 excimer band excitation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山根 明 / Akira Yamane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鳥取大学 工学部 電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tottori Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 國本 崇 / Takashi Kunimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島文理大学 工学部 ナノ物質工学科 Tokushima Bunri Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中島 康裕 / Yasuhiro Nakashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 鳥取大学 工学部 電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tottori Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大観 光徳 / Koutoku Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 鳥取大学 工学部 電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tottori Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 洋志 / Hiroshi Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 徳島文理大学 工学部 ナノ物質工学科 Tokushima Bunri Univ. |
| 発表年月日 | 2007/1/18 |
| 資料番号 | EID2006-51 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 499 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |