| 講演名 | 2007/1/18 GaN系多層構造粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) 大木 佑哉, 森 達宏, 菰田 浩寛, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 原 和彦, |
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| 抄録(和) | キャリア局在構造を有する多層構造蛍光体粒子の作製を目指し,これまで研究を進めてきた二段階気相法を発展させた気相合成法により,AlNとGaNを組み合わせたAlN/GaN/AlN三層構造粒子の作製を試みた.第1段のプロセスでは,結晶核としてAlN粒子を,AlをArガス中で蒸発させN_2ガスと反応させることにより作製した.結晶核の結晶性は反応炉温に依存し,1200℃で最も良い結晶性が得られることを明らかにした.このAlNを結晶核とし,2段目のプロセスにおいてGaClとNH_3ガスとの反応によりGaN層を形成した.得られた粒子は,改良前の装置で作製したGaN/AlN粒子において観測された,欠陥による発光と見られる415nm付近の発光が抑制され,370nmにピークをもつGaNのバンド端発光からなるスペクトルを観測した.さらに,3段目のプロセスとしてこのGaN層をAlNで被膜した粒子についても作製を試み,評価を行った. |
| 抄録(英) | Multilayer particles consisting of GaN and AlN were synthesized by a vapor phase method. First, the AlN core particle was formed by using vaporized Al and N_2 gas as reactants. It was found that the crystallinity of AlN core particle depends on the temperature of the furnace, with the narrowest width of x-ray diffraction peak obtained at 1200℃. The GaN layer was formed on the surface of the AlN particle by using GaCl and NH_3. A spectrum characteristic of to GaN with the peak in 370nm was observed by the GaN/AlN bilayer particles. Finally, the AlN layer was formed on GaN layer by using AlCl and GaCl. |
| キーワード(和) | 多層構造粒子 / AlN / GaN気相成長 / X線回折 / フォトルミネッセンス / カソードルミネッセンス |
| キーワード(英) | multilayer particles / AlN / GaN / vapor-phase synthesis / X-ray diffraction / photoluminescence / cathodoluminescence |
| 資料番号 | EID2006-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2007/1/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系多層構造粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synthesis of GaN-based multilayer particles by a vapor-phase method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多層構造粒子 / multilayer particles |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN気相成長 / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / vapor-phase synthesis |
| キーワード(5)（和/英） | フォトルミネッセンス / X-ray diffraction |
| キーワード(6)（和/英） | カソードルミネッセンス / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大木 佑哉 / Yuya OOGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 達宏 / Tatsuhiro MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菰田 浩寛 / Hironori KOMODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko KOMINAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Kazuhiko HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/1/18 |
| 資料番号 | EID2006-48 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 499 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |