| 講演名 | 2007/1/18 ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性 : 発光層構造の影響(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) 武井 孝平, 足立 大輔, 外山 利彦, 岡本 博明, |
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| 抄録(和) | 発光層にZnS:Mn/AlN多層膜を用いたナノ構造EL素子において,発光層構造が動作特性に与える影響を検討した.ZnS:Mn層の膜厚を5nmまで低減させたとき,量子閉じ込め効果によるZnSの禁制帯幅の広がりとMn^<2+>3d-3d遷移のPL効率の向上を観測した.しかしながら,ZnS:Mn層膜厚を2nmまで低減させると逆にPL効率が低下した.このことは,AlN層との界面近傍のZnS層中に欠陥が多く存在することを示唆している.PL効率と同様に,ナノ構造EL素子の輝度および効率はZnS:Mn層膜厚を2nmとしたときは極めて低いものの,ZnS:Mn層膜厚を5nm以上にすることで特性は大幅に改善した.これらの結果により,ZnS:Mn/AlN界面のおよびその近傍の状態がデバイス特性を決定づける重要な因子の一つであることが明らかになった. |
| 抄録(英) | Effects of ZnS:Mn/AlN multilayer structure on luminescent properties of nanostructured (NS) thin-film electroluminescent (TFEL) device of which emission layer is a multilayer composed with ZnS:Mn layers and 0.7-nm-thick AlN interlayers were studied. The band gap widening and the increased PL efficiency of Mn^<2+> 3d-3d transitions with a decrease in the ZnS:Mn single-layer thickness down to 5nm were observed, which is ascribed to confinement effects. Meanwhile, the multilayer with 2-nm-thick ZnS:Mn single-layers shows a drop of PL efficiency, indicating the presence of defective region just on AlN. The tendency of the luminous efficiency of the NS-TFEL device against the ZnS:Mn single-layer thickness is similar to the tendency found in the PL efficiency, indicating the importance of the ZnS:Mn/AlN interface for the device performance. |
| キーワード(和) | ナノ結晶 / エレクトロルミネセンス / 薄膜 / ZnS / ディスプレイ / AlN / 界面 |
| キーワード(英) | nanocrystal / electroluminescence / thin-film / ZnS / display / AlN / interface |
| 資料番号 | EID2006-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2007/1/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性 : 発光層構造の影響(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of ZnS:Mn/AlN Multilayer Structure on Operation Properties of Nanostructured Thin-Film EL Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノ結晶 / nanocrystal |
| キーワード(2)（和/英） | エレクトロルミネセンス / electroluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin-film |
| キーワード(4)（和/英） | ZnS / ZnS |
| キーワード(5)（和/英） | ディスプレイ / display |
| キーワード(6)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(7)（和/英） | 界面 / interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武井 孝平 / Kohei Takei |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院 基礎工学研究科 Osaka University, Graduate School of Engineering Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 足立 大輔 / Daisuke ADACHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院 基礎工学研究科 Osaka University, Graduate School of Engineering Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 外山 利彦 / Toshihiko TOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院 基礎工学研究科 Osaka University, Graduate School of Engineering Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡本 博明 / Hiroaki OKAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院 基礎工学研究科 Osaka University, Graduate School of Engineering Science |
| 発表年月日 | 2007/1/18 |
| 資料番号 | EID2006-46 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 499 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |