講演名 2007-01-19
高密度実装のためのCu超微細ピッチバンプレスインタコネクト(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
重藤 暁津, 伊藤 寿浩, 須賀 唯知,
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抄録(和) 本報告では,超低プロファイルCuバンプレス電極の10μmピッチ直接接続を表面活性化常温接合法の適用により実現した事例とその要素技術について述べる.バンプレスインタコネクトにおいてはCMPによるCu電極の平坦化が必須であるため,表面形状と酸化・吸着の観点からCMP-Cuの接合条件を明確にした.また,ダマシン手法とRIEの応用により製作したバンプレスモデル電極を±1μmの実装精度で接続するプロセスを開発し,数mΩ以下の低い接触抵抗値を得た.さらに,実用可能性の基礎的検証として,薄型実デバイスとインターポーザの接続やウエハスケールの超多ピン接合への展開を図った.
抄録(英) We report the studies on the ultra-fine pitch Cu bumpless interconnect relating to the direct bonding of CMP-Cu done by the surface activated bonding (SAB) method. Since the quality of bonding in the SAB method is strongly affected by contact and cleanness of a surface, we clarified the relationship between those conditions and Ar beam irradiation. We also developed a highly accurate SAB process for the bumpless test vehicles fabricated by the applied damascene process, then realized a 10-μm-pitch interconnection together with considerably low contact resistance. Furthermore, a wafer-scale high-density bonding and the bonding between thin devices were carried out as a preliminary feasibility study.
キーワード(和) バンプレスインタコネクト / 表面活性化常温接合法 / CMP-Cu
キーワード(英) Bumpless interconnect / surface activated bonding (SAB) / CMP-Cu
資料番号 CPM2006-142,ICD2006-184
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2007/1/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高密度実装のためのCu超微細ピッチバンプレスインタコネクト(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Ultra-Fine Pitch Cu Bumpless Interconnect for High Density SiP Technology
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) バンプレスインタコネクト / Bumpless interconnect
キーワード(2)(和/英) 表面活性化常温接合法 / surface activated bonding (SAB)
キーワード(3)(和/英) CMP-Cu / CMP-Cu
第 1 著者 氏名(和/英) 重藤 暁津 / Akitsu SHIGETOU
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 伊藤 寿浩 / Toshihiro ITOH
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 須賀 唯知 / Tadatomo SUGA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
発表年月日 2007-01-19
資料番号 CPM2006-142,ICD2006-184
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 468
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日