講演名 2007-01-19
ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
牧山 剛三, 多木 俊裕, 今西 健治, 金村 雅仁, 原 直紀, 吉川 俊英,
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抄録(和) GaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)は、基地局間無線通信用高出力デバイスとして利用可能な高いパフォーマンスを示しており、現在、多くの研究機関でさらなる高周波特性の向上を目指し開発が進められている。高い信頼性を有するミリ波向け高出力増幅器を開発するためには、高い最大発振周波数(f_)と高いゲート耐圧(BV_)を同時に実現する必要がある。これまでの研究は、GaNの高いドリフト速度を検証するために、主に電流利得遮断周波数(f_T)に注目していた。しかしながら、増幅器において高い効率を実現するためには、f_,f_Tのみならず、高いゲート(ショットキーゲート)耐圧を同時に実現しなくてはならない。これまでの研究報告では、優れた高周波特性(f_, f_T)と100Vを超えるゲート耐圧(BV_)を両立出来るデバイスの報告はなかった。我々は、従来のGaN-HEMTにY型ゲートおよびGaN表面層(GaNキャップ)を採用することで、f_ 180GHzおよび100V以上のゲート耐圧(BV_)を実現したので報告する。
抄録(英) The GaN high electron mobility transistors (GaN-HEMTs) have achieved a high performance as a high-power device for wireless base station applications. A lot of research has been reported recently on improvements in its performance as a high-frequency device. To obtain a high-gain millimeter-wave power amplifier "with high reliability", both a maximum frequency of oscillation (f_) and a high BV_ are important. In the previous reports, mainly a high current cut off frequency (f_T) was discussed to verify high drift velocity of GaN. High BV_ of the Schottky-gate GaN-HEMT is an important feature in improving the efficiency. However there have been no reports on a high f_ Schottky-gate device with a BV_ of over 100V. In this research, we demonstrated a high f_ of 210GHz with a BV_ of over 100V using a novel Y-shaped Schottky-gate and a SiN/n-GaN-cap structure, for the first time.
キーワード(和) ミリ波 / ゲート耐圧 / f_ / GaN HEMT
キーワード(英) Millimeter-wave / Gate breakdown voltage / f_ / GaN HEMT
資料番号 ED2006-239,MW2006-192
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2007/1/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ミリ波向け高耐圧・高f_ GaN-HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-f_ GaN HEMT with High Breakdown Voltage for Millimeter-wave Applications
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave
キーワード(2)(和/英) ゲート耐圧 / Gate breakdown voltage
キーワード(3)(和/英) f_ / f_
キーワード(4)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT
第 1 著者 氏名(和/英) 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA
第 1 著者 所属(和/英) 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited
第 2 著者 氏名(和/英) 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI
第 2 著者 所属(和/英) 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited
第 3 著者 氏名(和/英) 今西 健治 / Kenji IMANISHI
第 3 著者 所属(和/英) 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited
第 4 著者 氏名(和/英) 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA
第 4 著者 所属(和/英) 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited
第 5 著者 氏名(和/英) 原 直紀 / Naoki HARA
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Limited
第 6 著者 氏名(和/英) 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA
第 6 著者 所属(和/英) 富士通株式会社:株式会社富士通研究所
Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited
発表年月日 2007-01-19
資料番号 ED2006-239,MW2006-192
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 460
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
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