講演名 | 2007-01-19 ミリ波向け高耐圧・高f_ 牧山 剛三, 多木 俊裕, 今西 健治, 金村 雅仁, 原 直紀, 吉川 俊英, |
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抄録(和) | GaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)は、基地局間無線通信用高出力デバイスとして利用可能な高いパフォーマンスを示しており、現在、多くの研究機関でさらなる高周波特性の向上を目指し開発が進められている。高い信頼性を有するミリ波向け高出力増幅器を開発するためには、高い最大発振周波数(f_ |
抄録(英) | The GaN high electron mobility transistors (GaN-HEMTs) have achieved a high performance as a high-power device for wireless base station applications. A lot of research has been reported recently on improvements in its performance as a high-frequency device. To obtain a high-gain millimeter-wave power amplifier "with high reliability", both a maximum frequency of oscillation (f_ |
キーワード(和) | ミリ波 / ゲート耐圧 / f_ |
キーワード(英) | Millimeter-wave / Gate breakdown voltage / f_ |
資料番号 | ED2006-239,MW2006-192 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MW |
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開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ミリ波向け高耐圧・高f_ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-f_ |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ミリ波 / Millimeter-wave |
キーワード(2)(和/英) | ゲート耐圧 / Gate breakdown voltage |
キーワード(3)(和/英) | f_ |
キーワード(4)(和/英) | GaN HEMT / GaN HEMT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited |
第 2 著者 氏名(和/英) | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited |
第 3 著者 氏名(和/英) | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited |
第 4 著者 氏名(和/英) | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
第 4 著者 所属(和/英) | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited |
第 5 著者 氏名(和/英) | 原 直紀 / Naoki HARA |
第 5 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
第 6 著者 氏名(和/英) | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
第 6 著者 所属(和/英) | 富士通株式会社:株式会社富士通研究所 Fujitsu Limited:Fujitsu Laboratories Limited |
発表年月日 | 2007-01-19 |
資料番号 | ED2006-239,MW2006-192 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 460 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |