| 講演名 | 2007-01-19 GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 山本 和也, 宮下 美代, 小川 喜之, 三浦 猛, 紫村 輝之, |
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| 抄録(和) | GaAs-HBTプロセスで作製可能なベース・コレクタダイオードを用いた3.5GHz帯無線通信用0/20-dBステップ減衰器について述べる.低バイアス電流でより大きな許容送信電力特性を得ることができるAC結合スタック型ダイオードスイッチ回路を基本スイッチ素子として用いることにより,従来構成のダイオードスイッチ減衰器に比べて,減衰器の許容送信電力特性を同じバイアス電流条件下で6dB以上改善した.また本減衰器は,歪み特性(IM3)改善のために減衰モード時だけ動作するシャント型ダイオードリニアライザを備えることにより減衰モード時の入力電力16～18dBmにおいて,IM3を約7dB以上改善した.試作した0/20-dB減衰器の主な実験結果は以下の通りである.電源電圧5V,通過/減衰モード時の消費電流及び通過損失は各々3.8mA/6.8mA,1.4dB/20dB,両モードにおける許容送信電力は18dBm以上である. |
| 抄録(英) | This paper describes a GaAs-HBT compatible, base-collector diode step attenuator for 3.5-GHz band wireless applications. The attenuator uses an AC-coupled, stacked type diode switch topology featuring high power handling capability with low bias current operation. Compared to a conventional diode switch topology, the topology can improve the capability of more than 6dB with the same bias current. In addition, successful incorporation of a shunt diode lineanzer into the attenuator gives the IM3 distortion improvement of more than 7dB in the high power ranging from 16dBm to 18dBm in the 20-dB attenuation mode. Measurement results are as follows: 1.4/20-dB insertion loss, and more than 18-dBm power handling capability (P_<0.2dB>), and low bias current of 3.8/6.8mA in thru/attenuation modes at 5V. |
| キーワード(和) | 無線通信 / GaAs / HBT / ダイオード / 減衰器 |
| キーワード(英) | Wireless communication / GaAs / HBT / Diode / Step Attenuator |
| 資料番号 | ED2006-231,MW2006-184 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2007/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0/20-dB Step Attenuator Using GaAs-HBT Compatible, AC-Coupled, Stack-Type Base-Collector Diode Switches |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 無線通信 / Wireless communication |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | ダイオード / Diode |
| キーワード(5)（和/英） | 減衰器 / Step Attenuator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮下 美代 / Miyo MIYASHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小川 喜之 / Nobuyuki OGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三浦 猛 / Takeshi MIURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 紫村 輝之 / Teruyuki SHIMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2007-01-19 |
| 資料番号 | ED2006-231,MW2006-184 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 460 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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