講演名 2007-01-19
CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
森脇 孝雄, 山本 和也, 小川 喜之, 三浦 猛, 前村 公正, 紫村 輝之,
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抄録(和) 2.4Vの低レファレンス電圧動作900MHz帯CDMA端末用InGaP/GaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの設計・試作結果について報告する.電力増幅器のバイアス回路に供給される電圧(レファレンス電圧及びコレクタ電圧)を2.4Vの低電圧で動作させるために,(i)パワー段をAC結合した2つにブロックに分割し,一方には電圧及び電流駆動のバイアス供給を,他方に電流駆動のみのバイアス供給を与え,さらに(ii)低温での隣接チャネル漏洩電力の劣化を抑制するために電圧・電流駆動するパワー段にDC結合した並列型のダイオードリニアライザを装荷した.電力増幅器のパワー段のコレクタ電圧3.5V,レファレンス電圧を含むバイアス回路の電源電圧2.4V,周波数900MHz帯において,本電力増幅器はJ-/W-CDMAに要求される出力特性を-10℃~+90 ℃の広い温度範囲で満足した.常温における主な実験結果は以下の通りである.J-CDMA変調に対しては出力電力27.5dBm時においてACPR1-50dBc,PAE40%,利得26.5dB,W-CDMA変調に対しては出力電力28dBm時においてACLR1-42dBc,PAE42%,利得26.7dBである.
抄録(英) This paper describes circuit design and measurement results of a newly developed InGaP/GaAs HBT MMIC power amplifier module (PA) which can operate with 2.4-V low reference (V_) and supply voltages of its on-chip bias circuits. To achieve the low-V_operation, the following two new circuit design techniques are incorporated into the IC: (i) two different kinds of bias feeding (current feed, and voltage-/current-feed) to AC-coupled power stages, and (ii) successful implementation of a diode linearizer built in the power stage. Measurement results at 900MHz, a 3.5-V V_, and a 2.4-V V_show that the PA meets J-/W-CDMA power and distortion specifications sufficiently over a wide temperature range from -10 to 90℃ while keeping a low quiescent current of less than 65mA. For J-CDMA modulation, the PA can deliver a 27.5-dBm P_, a 40% PAE, and a -50-dBc ACPR, while a 28-dBm P_, a 42% PAE, and a -42-dBc ACLR are achieved for W-CDMA modulation.
キーワード(和) GaAs / 電力増幅器 / CDMA / HBT / 低電圧
キーワード(英) GaAs / Power amplifiers / CDMA / HBT / Low-Reference Voltage
資料番号 ED2006-226,MW2006-179
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2007/1/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 2.4-V Low-Reference-Voltage Operation InGaP-HBT MMIC Power Amplifier for CDMA Handsets
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(2)(和/英) 電力増幅器 / Power amplifiers
キーワード(3)(和/英) CDMA / CDMA
キーワード(4)(和/英) HBT / HBT
キーワード(5)(和/英) 低電圧 / Low-Reference Voltage
第 1 著者 氏名(和/英) 森脇 孝雄 / Takao MORIWAKI
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 小川 喜之 / Nobuyuki OGAWA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 三浦 猛 / Takeshi MIURA
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 前村 公正 / Kosei MAEMURA
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 紫村 輝之 / Teruyuki SHIMURA
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
High-Frequency and Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
発表年月日 2007-01-19
資料番号 ED2006-226,MW2006-179
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 460
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日