| 講演名 | 2007-01-29 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) 中原 宏治, 足立 光一朗, 葛西 淳一, 北谷 健, 青木 雅博, |
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| 抄録(和) | 理想的なバンドラインナップを有するGaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高速化を目的として三重量子井戸(TQW: triple quantum well)構造の検討を行った。MBEによるGaInNAsの結晶成長において不純物、特に3次元成長を助長するA1の混入の抑制と量子井戸構造の最適化を行った。その結果、同成長法のGaInNAs-TQWレーザにて世界最小と同等のしきい電流密度468A/cm^2を得た。さらに、逆メサ構造を導入したリッジ型レーザでGaInNAsリッジ型レーザの世界最小のしきい電流4.3mAを1.29μmの長波長発振にて実現した。また、TQW構造の高速性を反映して5℃の40Gb/s直接変調動作を実証した。 |
| 抄録(英) | The GaInNAs has an ideal band-lineup as compared with conventional long-wavelenth acitve materials. We investigated TQW (triple quantum well) structure in terms of high speed operations. In order to improve the crystallinity of GaInNAs-TQW, an Al-free MBE eptaxial system was developed and a TQW structure was optimized. As a result, low threshold current density of 468A/cm^2 is obtained, which is almost the same as the lowest one grown by MBE. Moreover, it is demonstrated that the record low threshold current of 4.3mA is achieved in long-wavelength, 1.29μm, GaInNAs-TQW RWG lasers. In addition, 40-Gb/s direct modulation of the laser is confirmed at 5℃. |
| キーワード(和) | GaInNAs / GaAs / MBE / Al / TQW / しきい電流密度 / しきい電流 / リッジ型レーザ |
| キーワード(英) | GaInNAs / GaAs / MBE / Al / threshold current density / threhold current / RWG laser |
| 資料番号 | PN2006-54,OPE2006-136,LQE2006-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN |
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| 開催期間 | 2007/1/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3-μm GaInNAs TQW Ridge-Waveguide Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | Al / Al |
| キーワード(5)（和/英） | TQW / threshold current density |
| キーワード(6)（和/英） | しきい電流密度 / threhold current |
| キーワード(7)（和/英） | しきい電流 / RWG laser |
| キーワード(8)（和/英） | リッジ型レーザ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中原 宏治 / K. Nakahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 足立 光一朗 / K. Adachi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 淳一 / J. Kasai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 北谷 健 / T. Kitatani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 青木 雅博 / M. Aoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-01-29 |
| 資料番号 | PN2006-54,OPE2006-136,LQE2006-125 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 513 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |