| 講演名 | 2006/12/7 シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 中嶋 薫, 趙 明, 鈴木 基史, 木村 健二, 植松 真司, 鳥居 和功, 神山 聡, 奈良 安雄, 山田 啓作, 舘 喜一, 角嶋 邦之, 岩井 洋, |
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| 抄録(和) | 高分解能RBS,高分解能ERDを用いて,極薄のhigh-kゲート絶縁膜とSi(001)基板との界面の深さプロファイルを測定した研究を2件紹介する.Si(001)上に約3nmのHfO_2を成長させた試料(SiO_2界面層0.7nm)を0.1Torrの酸素雰囲気中でアニール(500-900℃)し,高分解能RBS分析を行った.アニールによって,界面層の増膜とともに新たに界面で酸化されたSi数の20-30%に相当する量のSiが表面に移動するのが観察された.HF洗浄したSi(001)上に室温で約3nmのLa_2O_3を成長させた後に窒素雰囲気中でアニール(300-700℃)した試料について,高分解能ERDで水素の深さプロファイル測定を行った.as-grownの試料では界面付近に約10^<15>cm^<-2>の水素が分布しているが,500℃以上のアニールで濃度が大きく減少することが分かった. |
| 抄録(英) | Depth profiling of the interfaces between ultrathin high-k dielectric films and Si(001) using high-resolution RBS/ERD has been reported. HfO_2 /SiO_2/Si(001) were annealed in dry oxygen at various temperatures, and compositional depth profiles were measured by high-resolution RBS. Growth of the inter facial SiO_2 layer and simultaneous surface accumulation of Si were observed. Depth pro filing of hydrogen in La_2O_3/Si(001) was done with high-resolution ERD. Hydrogen existed around the interface for the as-deposited sample, while significant reduction of hydrogen was observed for those annealed in nitrogen at temperatures higher than 500℃. |
| キーワード(和) | high-kゲート絶縁膜 / HfO_2 / La_2O_3 / 界面 / 高分解能RBS / 高分解能ERD |
| キーワード(英) | high-k gate dielectric / HfO_2 / La_2O_3 / interface / high-resolution RBS / high-resolution ERD |
| 資料番号 | SDM2006-207 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/12/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of interfaces between ultrathin high-k dielectric films and Si(001) by high-resolution RBS/ERD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | high-kゲート絶縁膜 / high-k gate dielectric |
| キーワード(2)（和/英） | HfO_2 / HfO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | La_2O_3 / La_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(5)（和/英） | 高分解能RBS / high-resolution RBS |
| キーワード(6)（和/英） | 高分解能ERD / high-resolution ERD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中嶋 薫 / Kaoru NAKAJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 Department of Micro Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 趙 明 / Ming ZHAO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 Department of Micro Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 基史 / Motofumi SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 Department of Micro Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木村 健二 / Kenji KIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 Department of Micro Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 植松 真司 / Masashi UEMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi TORII |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 神山 聡 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 奈良 安雄 / Yasuo NARA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山田 啓作 / Keisaku YAMADA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 早稲田大学ナノテクノロジー研究所 Nanotechnology Research Center, Waseda University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 舘 喜一 / Kiichi Tachi |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東京工大フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京工大フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東京工大フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006/12/7 |
| 資料番号 | SDM2006-207 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 417 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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