| 講演名 | 2006/12/1 サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 高橋 寛, 井上 達也, 前元 利彦, 佐々 誠彦, 井上 正崇, |
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| 抄録(和) | サブテラヘルツ波検出を目指したSb系ヘテロ構造ダイオードの作製と特性評価を行った.このデバイスはMBE法によるInAs/AlSb/AlxGa_<1-x>Sb/GaSbヘテロ構造から成っている.パラメータとしてAl_xGa_<1-x>SbのAl組成xとAlSb膜厚yを変化させI-V特性を測定し,I-V特性から検出感度γを計算した.その結果、x=0.15,y=1nmのものが最も高いγ=4.4V^<-1>が得られ,同じAl組成でy=2nmのものより2倍良い.また、Al組成が高くなると負性抵抗が現れる電圧値が低電圧側ヘシフトすることが分かり,さらにAl組成を高めることで特性改善が期待される。 |
| 抄録(英) | We fabricated and characterized Sb-based diodes for detecting subterahertz waves. These devices were made on InAs/AlSb/Al_xGa_<1-x>Sb/GaSb heterostructures grown by molecular beam epitaxy. We grew several structures by changing the Al composition, x, of Al_xGa_<1-x>Sb and the thickness, y, of the AlSb and characterized the I-V characteristics. The sensitivity, γ, of the diodes was estimated from the I-V characteristics. As a result, the maximum value of 4.4 V^<-1> was obtained in the device for x=0.15 and y=1nm, which was two times as good as that of y=2nm. In addition, the negative resistance appeared in the forward bias shifted towards low voltage side as the x value increased resulting in better rectification characteristics. |
| キーワード(和) | サブテラヘルツ / テラヘルツ / ダイオード / Sb系ヘテロ構造 / 負性抵抗 |
| キーワード(英) | subteraherz / terahertz / diode / Sb-based / negative resistance |
| 資料番号 | ED2006-187 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/12/1(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブテラヘルツ / subteraherz |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(3)（和/英） | ダイオード / diode |
| キーワード(4)（和/英） | Sb系ヘテロ構造 / Sb-based |
| キーワード(5)（和/英） | 負性抵抗 / negative resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 寛 / Hiroshi TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 達也 / Tatsuya INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前元 利彦 / Toshihiko MAEMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 Osaka Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々 誠彦 / Shigehiko SASA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 Osaka Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 正崇 / Masataka INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006/12/1 |
| 資料番号 | ED2006-187 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 403 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |