| 講演名 | 2006-11-10 フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET(有機材料,一般) 松川 典仁, 伊東 栄次, 宮入 圭一, |
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| 抄録(和) | 本研究ではフッ素含有ポリイミドを界面絶縁層として作製したポリチオフェンFETの界面絶縁材料の違いによる効果に注目しながら、OFETの静特性とMISキャパシタの誘電特性を評価した。Ta_2O_5高誘電率ゲート絶縁層とフッ素含有ポリイミドを積層することでポリイミドの実効膜厚を約100nmまで薄くすることで容量変化量を高感度に検出すると共に駆動電圧を低減した。フッ素含有ポリイミドを絶縁層とした場合、フッ素含有量の違いにより閾値電圧に主に違いが現れたが、その他の特性に大きな違いは見られなかった。また、真空中での熱処理により移動度やC-V曲線が改善されたが、融点を超える240℃での高温熱処理では逆に特性を悪くした。 |
| 抄録(英) | In this study, we have investigated the FET properties and the dielectric properties of Poly (3-hexylthiophene)(P3HT) FET prepared on Ta_2O_5/polyimide double layered gate insulator. We reduced the effective thickness of polyimide gate insulating layer to reduce the operating voltage and to enhance the capacitance change of MIS capacitor by the use of double layered structure consisting of thin polyimide (～60nm) and the high-K dielectric Ta_2O_5 layers. Threshold voltage of polyimide coat FET shifts positively. However, it does not change by atomic percent of fluorine in the polyimide unit. The FET properties were improved by heat-treatment up to 150℃ probably due to the increase in the conductivity of P3HT layer. |
| キーワード(和) | OFET / ポリチオフェン / Ta_2O_5 / フッ素含有ポリイミド / 閾値電圧 |
| キーワード(英) | OFET / Polythiophene / Ta_2O_5 / Fluorinated Polyimide / threshold voltage |
| 資料番号 | OME2006-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2006/11/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET(有機材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polythiophene FET prepared on partially fluorinated polyimide gate insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | OFET / OFET |
| キーワード(2)（和/英） | ポリチオフェン / Polythiophene |
| キーワード(3)（和/英） | Ta_2O_5 / Ta_2O_5 |
| キーワード(4)（和/英） | フッ素含有ポリイミド / Fluorinated Polyimide |
| キーワード(5)（和/英） | 閾値電圧 / threshold voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松川 典仁 / Norihito MATSUKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊東 栄次 / Eiji ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮入 圭一 / Keiichi MIYAIRI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2006-11-10 |
| 資料番号 | OME2006-97 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 339 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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