| 講演名 | 2006/11/2 Crystal Structure of Epitaxial Co Thin Film Grown on Al_2O_3(0001) Substrate(Head materials & recording media,The 8th Asian Symposium on Information Storage Technology (ASIST-8)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The effects of substrate temperature and buffer layer material on the crystal structure of Co thin film epitaxially grown on Al_2O_3(0001) substrate were investigated. The substrate temperature was varied in a range between 30℃ and 400℃. Co films grown directly on Al_2O_3(0001) substrates consist of a mixture of fcc and hcp phases with stacking faults. An fcc-Co single crystal film was obtained when a Cu buffer layer was introduced, while on an Au buffer layer an hcp-Co single crystal film grew at a substrate temperature of 300℃. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Co thin film / crystal structure / epitaxial growth / buffer layer / Al_2O_3(0001) substrate |
| 資料番号 | MR2006-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Structure of Epitaxial Co Thin Film Grown on Al_2O_3(0001) Substrate(Head materials & recording media,The 8th Asian Symposium on Information Storage Technology (ASIST-8)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Co thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Mitsuru OHTAKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 発表年月日 | 2006/11/2 |
| 資料番号 | MR2006-40 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 335 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | |