| 講演名 | 2006-11-24 Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) 國松 俊佑, 今井 章文, 秋山 賢輔, 前田 佳均, |
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| 抄録(和) | Fe系シリサイドは半導体,強磁性,金属と様々な物性を示す.この中でβ-FeSi_2は屈折率が高く(n>5.2),高コントラストフォトニック結晶への応用が期待されている.しかしながら,β-FeSi_2はエッチング速度が小さく,対マスク選択比が小さいためフォトニック結晶の作製ができなかった.そこで,本研究では磁気中性線プラズマによる低圧エッチングを用いてエッチング特性(速度,異方性と対マスク選択比)を改善し,β-FeSi_2フォトニッタ結晶を作製した. |
| 抄録(英) | There are some iron silicides with semiconducting, ferromagnetic and metallic properties. β-FeSi_2 with a high refractive index of more than 5.2 has been expected application to high contrast photonic crystals. However, the etching rate of β-FeSi_2 film is too low to obtain the sufficient etching selectivity against metal masks employed in lift-off processes. In this study, we have improved both the etching rate and the selectivity by dry etching processes using magnetic neutral loop discharge plasma at low pressure. We have succeeded in fabricating β-FeSi_2 photonic crystals. |
| キーワード(和) | シリサイド半導体 / 反応性イオンエッチング / フォトニック結晶 / β-FeSi_2 |
| キーワード(英) | Semiconducting silicide / Reactive ion etching / Photonic crystal / β-FeSi_2 |
| 資料番号 | R2006-32,ED2006-177,SDM2006-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/11/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of iron silicides photonic crystals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイド半導体 / Semiconducting silicide |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性イオンエッチング / Reactive ion etching |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(4)（和/英） | β-FeSi_2 / β-FeSi_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 國松 俊佑 / Shunsuke KUNIMATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今井 章文 / Akifumi IMAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋山 賢輔 / Kensuke AKIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神奈川県産業技術センター Kanagawa Industrial Technology Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前田 佳均 / Yoshihito MAEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2006-11-24 |
| 資料番号 | R2006-32,ED2006-177,SDM2006-195 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 379 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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