| 講演名 | 2006-11-24 β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) 上西 隆文, 安藤 裕一郎, 前田 佳均, |
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| 抄録(和) | イオンビーム合成(IBS)したβ-FeSi_2の発光は長時間アニールにより増強する.これにはβ-FeSi_2中のSi空孔の減少が関係していると考えられているが,アニールによるSi空孔の分布の変化に関する報告はない.本研究では,ラザフォード後方散乱分光法を用いて,Si空孔の深さ分布の測定を試みた.その結果,アニール効果によるSi空孔分布の変化をとらえることができた. |
| 抄録(英) | It has been reported that light emission from semiconducting β-FeSi_2 is enhanced by long time annealing. The enhancement of emission may be adapted to elimination of Si vacancy in β-FeSi_2. However, less sufficient evidence of the elimination of Si vacancy during annealing has been reported. In this study, we deduced concentration of Si vacancy in each depth as a function of annealing time from analysis of Rutherford backscattering random spectra. |
| キーワード(和) | イオンビーム合成法 / β-FeSi_2 / Si空孔 / ラザフォード後方散乱分光法 |
| キーワード(英) | Ion beam synthesis / β-FeSi_2 / Si vacancy / Rutherford backscattering spectroscopy |
| 資料番号 | R2006-33,ED2006-178,SDM2006-196 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/11/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ion beam synthesis of β-FeSi_2 : Dependence of Si vacancy on annealing time |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンビーム合成法 / Ion beam synthesis |
| キーワード(2)（和/英） | β-FeSi_2 / β-FeSi_2 |
| キーワード(3)（和/英） | Si空孔 / Si vacancy |
| キーワード(4)（和/英） | ラザフォード後方散乱分光法 / Rutherford backscattering spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上西 隆文 / Takafumi JONISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕一郎 / Yu-ichiro ANDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 佳均 / Yoshihito MAEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2006-11-24 |
| 資料番号 | R2006-33,ED2006-178,SDM2006-196 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 378 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |