| 講演名 | 2006-11-24 ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) 葛西 誠也, バジール アルベルト, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | ナノメートルショットキーゲートGaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)における相互コンダクタンス(g_m)のゲート長依存性劣化について,ゲートリーク電流との相関に注目し,実験的検討を行った.AlGaN表面制御プロセスとゲート周囲へのSiN不活性化膜形成を施したHFETを試作し,未処理の場合と比較して2桁のゲート電流低減を図った.これらの素子では,相互コンダクタンスのゲート長依存性は回復し,ゲート長を1000nmから300nmに短縮することでg_mは30%向上した.ゲート端からの横方向リーク電流がゲート周囲の表面を帯電することで実効的なゲート長を延長する仮想ゲートモデルに基づき,実験結果の解釈を試みた. |
| 抄録(英) | Degradation of gate length (L_G) dependence of transconductance (g_m) in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors (HFETs) with nanometer-size-Schottky gates was studied experimentally, focusing on the correlation between g_m and gate leakage current. Utilizing the surface control processes on AlGaN and formation of SiN passivation layer around the Schottky gates, gate leakage currents in fabricated HFETs decreased by two orders of magnitude as compared with devices without passivation. L_G dependence of g_m was recovered in the passivated devices and 30% increase of g_m was obtained by reducing L_G from 1,000nm to 300nm. The obtained results could be explained by the virtual gate model in which lateral gate leakage current charges AlGaN surfaces in the gate periphery. |
| キーワード(和) | GaN / HFET / ナノメートルショットキーゲート / 相互コンダクタンス / ゲートリーク電流 |
| キーワード(英) | GaN / HFET / nanometer-size-Schottky gate / transconductance / gate leakage current |
| 資料番号 | R2006-37,ED2006-182,SDM2006-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2006/11/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Degradation of Gate-Length Dependence of Transconductance in AlGaN/GaN HFETs with Nanometer-Size Gates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | ナノメートルショットキーゲート / nanometer-size-Schottky gate |
| キーワード(4)（和/英） | 相互コンダクタンス / transconductance |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | バジール アルベルト / Alberto F. BASILE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-11-24 |
| 資料番号 | R2006-37,ED2006-182,SDM2006-200 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |