| 講演名 | 2006-11-10 スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板の表面あらさの影響(薄膜プロセス・材料,一般) 岩坪 聡, 清水 孝晃, |
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| 抄録(和) | 表面あらさの異なるアルミナ基板上に,RFマグネトロンスパッタ(RFMS)とインビームスパッタ(IBS)を用いてNiCr膜を作製し,膜厚をパラメータとして,膜の構造と抵抗温度係数TCR特性の膜厚依存性を調べた.あらさ形状による熱歪λ_Tの変化は有限要素シミュレーションを用いて概算した.その結果,基板表面があれていた場合,RFMS膜は平坦な基板上の層状構造とは異なり,粒界がそれぞれ分離した粒子状構造を示し,TCRの大きさはその構造変化にともなって約60ppm/K増加した.一方,IBS膜は平坦な基板と同じ層状構造を示す場合が多く,構造変化が起きない場合でも,TCRの大きさは約30ppm/K増加する傾向を示した.そのシミュレーションから,その形状によるλ_Tの変化はRFMS膜の粒子状構造では起きにくく,IBS膜のような層状構造で,その大きさが平坦な基板のときの約3倍の大きさに達した.この歪みの増加がTCRを変化させる原因であった.さらに,膜には厚みの分布があった.以上のことから,NiCr膜のTCRにおける表面あらさの影響として,膜構造,あらさ形状による熱歪と膜厚分布の3つの要因とそれらの大きさを明らかにした. |
| 抄録(英) | NiCr films on Al_2O_3 substrates with various rough surfaces were deposited by RF magnetron sputtering (RFMS) and ion-beam sputtering (IBS) as a parameter of film thickness t_F. The t_F dependence of the structure and the temperature coefficient of resistance (TCR) of the films was investigated. The values of thermal strain λ_T owing to roughness of the films were estimated by FEM simulation. It was found that the roughness of the substrates caused the changes in the film structure, λ_T and the film thickness, so that the value of TCR of the NiCr films was decreased on a large scale. |
| キーワード(和) | 抵抗温度係数(TCR) / NiCr / 薄膜 / スパッタリング / 電気的特性 / 表面あらさ |
| キーワード(英) | Temperature Coefficient of Resistance (TCR) / NiCr / thin film / sputtering / electrical properties / surface roughness |
| 資料番号 | CPM2006-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板の表面あらさの影響(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Surface Roughness of Substrate on Structure and Temperature Coefficient of Resistance (TCR) of NiCr Films Deposited by Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗温度係数(TCR) / Temperature Coefficient of Resistance (TCR) |
| キーワード(2)（和/英） | NiCr / NiCr |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | 電気的特性 / electrical properties |
| キーワード(6)（和/英） | 表面あらさ / surface roughness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩坪 聡 / Satoshi IWATSUBO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山県工業技術センター Toyama Industrial Technology Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清水 孝晃 / Takaaki SHIMIZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山県工業技術センター Toyama Industrial Technology Center |
| 発表年月日 | 2006-11-10 |
| 資料番号 | CPM2006-128 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |