| 講演名 | 2006-11-10 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般) 杉山 英孝, 小島 述央, 山岸 大朗, 周 英, 佐々木 公洋, |
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| 抄録(和) | SiO_2膜に替わる高誘電率ゲート絶縁膜として,ZrO_2薄膜の成長メカニズムについて検討している.金属ターゲットを用いて酸化膜を堆積できる「制限反応スパッタ法」により,Si基板上に300℃にてZrO_2を堆積させたところ,堆積を開始したにもかかわらず膜厚として観測されない空白の時間「成長遅れ時間(Growth Delay Time)」が存在することを見い出した.そしてこの成長遅れ時間を経て,時間に比例した膜成長をすることが分かった.これは本手法にて堆積させたときに現れる特有の現象であり,再現性も高いことから,表面反応および膜成長に関する特殊なメカニズムが存在していることが示唆される. |
| 抄録(英) | We are researching a growth mechanism of thin ZrO_2 films as a high permittivity gate insulation film which is substitute of the SiO_2 film. When we fabricate ZrO_2 with the growth temperature of 300℃ by Limited Reaction Sputtering, a method which can fabricate oxide film by using metal target, we figured out that in spite of having started deposition, there is a period which is not observed as a film thickness. We also found that a film grows proportional to deposition time after the growth delay time. This phenomenon is unique to our experimental equipment and also this phenomenon is highly reproducible and a certain mechanism about a surface reaction and film growth may be exists. |
| キーワード(和) | 制限反応スパッタ法 / ZrO_2 / 堆積速度 / 成長遅れ時間 |
| キーワード(英) | Limited Reaction Sputtering / ZrO_2 / Deposition Rate / Growth Delay Time |
| 資料番号 | CPM2006-126 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth Delay Time on fabricating thin ZrO_2 film by Limited Reaction Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 制限反応スパッタ法 / Limited Reaction Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | ZrO_2 / ZrO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 堆積速度 / Deposition Rate |
| キーワード(4)（和/英） | 成長遅れ時間 / Growth Delay Time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉山 英孝 / Hidetaka SUGIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate school of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小島 述央 / Nobuo KOJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate school of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山岸 大朗 / Taro YAMAGISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部 Faculty of Engineering, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 周 英 / YING Zhou |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate school of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro SASAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate school of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2006-11-10 |
| 資料番号 | CPM2006-126 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |