| 講演名 | 2006-11-10 IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般) 山本 純, 坂口 勇太, 成瀬 公博, 佐々木 公洋, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高移動度チャネルを実現する材料として注目されている歪Si。この仮想基板となる歪緩和SiGe。本研究では作製した歪緩和SiGeの歪量、表面平坦性についてイオン源加速電圧、堆積温度、膜厚を変化させて検討した。今回の実験ではイオン源加速電圧500V、堆積温度500℃という条件で完全歪緩和、表面ラフネス2nm、膜厚約200nmというものが得られた。 |
| 抄録(英) | Strain relaxation SiGe is used for virtual Substrate of Strained Si, which is expected to work on the advanced devices with high mobility channel. The SiGe films were prepared by Ion Beam Sputtering under different ion accelerate voltages, deposited temperature. The relaxation ratio and surface roughness of SiGe was studied in detail. The experiments indicate that fully relaxation SiGe films, whose surface roughness and thickness are 2nm, and 200nm, respectively, would be obtained successfully at 500℃ with the ion accelerate voltage is 500V. |
| キーワード(和) | イオンビームスパッタ法 / 歪Si / 歪緩和SiGe |
| キーワード(英) | Ion Beam Sputtering / strained Si / Strain Relaxation SiGe |
| 資料番号 | CPM2006-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface roughness control of SiGe layer deposited by Ion Beam Sputtering toward strained Si fabrication |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンビームスパッタ法 / Ion Beam Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | 歪Si / strained Si |
| キーワード(3)（和/英） | 歪緩和SiGe / Strain Relaxation SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 純 / Jun YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂口 勇太 / Yuta SAKAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成瀬 公博 / Kimihiro NARUSE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro SASAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2006-11-10 |
| 資料番号 | CPM2006-122 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |